[發(fā)明專利]幕布及其制造方法、投影系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810040403.7
• 申請日: 2018-01-16
• 公開（公告）號: CN107957653A
• 公開（公告）日: 2018-04-24
• 發(fā)明（設計）人: 白冰;陳維濤;樸仁鎬;張明輝;劉建濤
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G03B21/60
• 分類號: G03B21/60
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種幕布，其特征在于，包括：

第一透光基板；

設置在所述第一透光基板的一側(cè)的黑矩陣以及光子晶體層，所述光子晶體層包括矩陣狀排布的多個光子晶體，所述多個光子晶體包括至少兩種顏色的光子晶體；

設置在所述光子晶體層遠離所述第一透光基板的一側(cè)的第二透光基板。

2.根據(jù)權利要求1所述的幕布，其特征在于，所述幕布還包括：

設置在所述第一透光基板與所述黑矩陣之間的半透半反層。

3.根據(jù)權利要求1所述的幕布，其特征在于，

所述光子晶體層包括矩陣狀排布的多個像素單元，每個像素單元包括三種顏色的光子晶體，分別為紅光光子晶體、綠光光子晶體和藍光光子晶體，所述黑矩陣包括矩陣狀排布的多個透光區(qū)域，所述多個光子晶體一一對應設置于所述多個透光區(qū)域中。

4.根據(jù)權利要求3所述的幕布，其特征在于，

所述紅光光子晶體的禁帶區(qū)域?qū)ㄩL范圍為640-780nm，所述綠光光子晶體的禁帶區(qū)域?qū)ㄩL范圍為500-560nm，所述藍光光子晶體的禁帶區(qū)域?qū)ㄩL范圍為450-480nm。

5.根據(jù)權利要求2所述的幕布，其特征在于，

所述半透半反層包括透明膜層以及位于所述透明膜層靠近所述第一透光基板的一側(cè)的鍍銀膜層。

6.根據(jù)權利要求1所述的幕布，其特征在于，

所述第一透光基板和所述第二透光基板均由透明材質(zhì)制成；

和/或，所述第一透光基板和所述第二透光基板均由柔性材質(zhì)制成。

7.一種投影系統(tǒng)，其特征在于，所述投影系統(tǒng)包括權利要求1至6任一所述的幕布。

8.根據(jù)權利要求7所述的投影系統(tǒng)，其特征在于，所述投影系統(tǒng)還包括：

投影儀。

9.一種幕布的制造方法，其特征在于，包括：

在第一透光基板的一側(cè)形成黑矩陣以及光子晶體層，所述光子晶體層包括矩陣狀排布的多個光子晶體，所述多個光子晶體包括至少兩種顏色的光子晶體；

在所述光子晶體層遠離所述第一透光基板的一側(cè)形成第二透光基板。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，在第一透光基板的一側(cè)形成黑矩陣以及光子晶體層之前，所述方法還包括：

在第一透光基板的一側(cè)形成半透半反層；

所述在第一透光基板的一側(cè)形成黑矩陣以及光子晶體層，包括：

在所述半透半反層遠離所述第一透光基板的一側(cè)形成所述黑矩陣以及所述光子晶體層。