[發明專利]磁記錄介質和磁存儲裝置有效
| 申請號： | 201810039987.6 | 申請日： | 2018-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN108346437B | 公開（公告）日： | 2019-11-22 |
| 發明（設計）人： | 福島隆之;大橋榮久;張磊;村上雄二;柴田壽人;山口健洋;神邊哲也 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | G11B5/66 | 分類號： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 11277 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 劉新宇;李茂家<國際申請>=<國際公布> |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物 磁記錄介質 結晶質 基板 磁存儲裝置 結晶結構 磁性層 配向 合金 | ||
1.一種磁記錄介質，依次包括基板、底層、及具有進行了(001)配向的L10型結晶結構的合金的磁性層，其中，
所述底層從所述基板側開始依次包括第1底層和第2底層，
所述第1底層是以Mo為主成分的結晶質層，所述第1底層是Mo層、Mo-W層、Mo-Cu層、Mo-Ni層、Mo-Fe層、Mo-Re層或Mo-C層，
所述第2底層是含有以Mo為主成分的材料和氧化物、且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范圍內的結晶質層，
所述氧化物是從由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所組成的組中選擇的一種以上的元素的氧化物。
2.如權利要求1所述的磁記錄介質，其中，
所述氧化物是Mo的氧化物。
3.如權利要求1或2所述的磁記錄介質，其中，
所述第2底層是非粒狀結構。
4.如權利要求1或2所述的磁記錄介質，其中，
在所述第2底層和所述磁性層之間還包括障礙層，
所述障礙層包括從由MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、及TiC所組成的組中選擇的一種以上的物質，且具有NaCl型結構。
5.如權利要求1或2所述的磁記錄介質，其中，
在所述基板和所述第1底層之間還包括配向制御層，
所述配向制御層是具有BCC結構的、Cr層或以Cr為主成分的合金層、或者是具有B2結構的合金層。
6.一種磁記錄裝置，包括如權利要求1至5中的任一項所述的磁記錄介質。
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