[發(fā)明專利]一種白光LED用黃綠光熒光粉及制備方法和白光LED發(fā)光裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810039616.8
• 申請日: 2018-01-16
• 公開（公告）號: CN108329908A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 夏志國;趙鳴;廖泓旭;劉泉林
• 申請（專利權(quán)）人: 北京科技大學(xué)
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;H01L33/50
• 代理公司: 北京市廣友專利事務(wù)所有限責任公司 11237
• 代理人: 張仲波

1.一種白光LED用黃綠光熒光粉，其特征在于化學(xué)組成式為Na_1-x-yAlSiO₄:xLi⁺,yEu²⁺，其中0<x≤0.30，0.005≤y≤0.20。

2.一種制備如權(quán)利要求1所述白光LED用黃綠光熒光粉的方法，其特征在于包括下列步驟：

1)按通式Na_1-x-yAlSiO₄:xLi⁺,yEu²⁺，稱取該發(fā)光材料中相應(yīng)的原料；

2)將步驟1)得到的原料溶解于濃硝酸或者去離子水或者乙醇中配成溶液；

3)將步驟2)得到的溶液置于烘箱中，在80-150℃溫度下干燥6-12小時，得到固體混合物；

4)將步驟3)得到的固體混合物研磨成粉末，在500-900℃溫度下且于氧化氣氛下煅燒3-6小時，獲得前驅(qū)體；

5)將步驟4)得到的前驅(qū)體研磨后置于氧化鋁坩堝中，再將氧化鋁坩堝置于管式爐中，在1000-1400℃溫度下且在還原氣氛下煅燒2-6小時，冷卻后，并研磨成粉末，即得所述發(fā)光材料。

3.如權(quán)利要求2所述白光LED用黃綠光熒光粉的方法，其特征在于步驟1)所述原料來自鈉、鋁、硅、鋰以及銪的單質(zhì)、氧化物、氯化物、硫化物、碳酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽、硝酸鹽。

4.如權(quán)利要求2或3所述白光LED用黃綠光熒光粉的制備方法，其特征在于步驟1)所述原料來自鈉、鋁、鋰以及銪的硝酸鹽和正硅酸乙酯。

5.如權(quán)利要求2所述白光LED用黃綠光熒光粉的制備方法，其特征在于步驟2)所述溶液硝酸鹽溶解于去離子水，正硅酸乙酯溶解于乙醇中。

6.如權(quán)利要求2所述白光LED用黃綠光熒光粉的制備方法，其特征在于步驟3)所述烘箱溫度是100-130℃，干燥時間8-10小時。

7.如權(quán)利要求2所述白光LED用黃綠光熒光粉的制備方法，其特征在于步驟4)中所述煅燒溫度是600-800℃，煅燒時間4-5小時。

8.如權(quán)利要求2所述白光LED用黃綠光熒光粉的制備方法，其特征在于步驟5)中所述煅燒溫度是1100-1300℃，煅燒時間3-5小時，所述還原氣氛選自H₂氣氛、H₂/N₂氣氛或CO氣氛。

9.一種白光LED發(fā)光裝置，其特征在于發(fā)光裝置包括封裝基板、近紫外光LED芯片以及能夠有效吸收LED芯片發(fā)光并釋放紅、黃綠、藍三色光的三種熒光粉；其中，黃綠光熒光粉化學(xué)組成式為Na_1-x-yAlSiO₄:xLi⁺,yEu²⁺的白光LED用黃綠光熒光粉。

10.如權(quán)利要求9所述一種白光LED發(fā)光裝置，其特征在于所述近紫外LED芯片為GaN半導(dǎo)體芯片，其發(fā)光峰值波長為365nm；紅光熒光粉為K₂SiF₆:Mn⁴⁺，藍光熒光粉為BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺。