[發(fā)明專利]高穩(wěn)定性鈣鈦礦薄膜及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810039344.1
• 申請(qǐng)日: 2018-01-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108470832B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳煒;朱紅梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院;華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 42231
• 代理人: 黃君軍

1.一種高穩(wěn)定性鈣鈦礦薄膜，其特征在于，包括鈣鈦礦吸光層及由苯甲酰氰溶液修飾形成并包覆于所述鈣鈦礦吸光層外表面的疏水界面層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高穩(wěn)定性鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述苯甲酰氰溶液為苯甲酰氰的乙醚、氯苯及甲苯中至少一種的稀釋液。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高穩(wěn)定性鈣鈦礦薄膜，其特征在于，所述稀釋液的稀釋倍數(shù)為0-10⁸倍。

4.一種高穩(wěn)定性鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)將苯甲酰氰配制成表面修飾溶液；

(2)將鈣鈦礦薄膜浸泡于表面修飾溶液中30～1800秒，并在70～200℃下退火處理烘干，即得高穩(wěn)定性鈣鈦礦薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高穩(wěn)定性鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述表面修飾溶液為苯甲酰氰的乙醚、氯苯及甲苯中至少一種的稀釋液，且其稀釋倍數(shù)為0-10⁸倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的高穩(wěn)定性鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦薄膜的分子通式為APbX₃，其中，A包括CH₃NH₃⁺、CH(NH₂)₂⁺、Cs⁺中的至少一種陽(yáng)離子，X包括I^-、Br^-、Cl^-中的至少一種陰離子。