[發明專利]有機發光器件有效
| 申請號: | 201810039080.X | 申請日: | 2018-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN108376743B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發明(設計)人: | 印守康;劉永玟;盧昌鎬;金鐘秀;金重赫;李南憲 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社;三星SDI株式會社;梨花女子大學校產學協力團 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 金擬粲 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 器件 | ||
1.有機發光器件,包括:
第一電極;
面對所述第一電極的第二電極;以及
設置在所述第一電極和所述第二電極之間有機層,其中所述有機層包括發射層,
其中所述發射層包括主體和摻雜劑,
1)所述摻雜劑包括磷光摻雜劑,和
i)條件1、2、3和4全部被滿足;
ii)當滿足條件1和4并且不滿足條件2和3的至少一個時,滿足條件5-1;
iii)當不滿足條件1和4的至少一個并且滿足條件2和3時,滿足條件6-1;或
iv)當不滿足條件1和4的至少一個并且不滿足條件2和3的至少一個時,條件5-1和6-1兩者都被滿足,或者
2)所述摻雜劑包括熒光摻雜劑,和
i)條件1、2、3和4全部被滿足;
ii)當滿足條件1和4并且不滿足條件2和3的至少一個時,滿足條件5-2;
iii)當不滿足條件1和4的至少一個并且滿足條件2和3時,滿足條件6-2;或
iv)當不滿足條件1和4的至少一個并且不滿足條件2和3的至少一個時,條件5-2和6-2兩者都被滿足:
條件1
E*氧化,摻雜劑≥E還原,主體
條件2
E*還原,摻雜劑≤E氧化,主體
條件3
E氧化,摻雜劑≥E*還原,主體
條件4
E還原,摻雜劑≤E*氧化,主體
條件5-1
T1摻雜劑-0.4eV|E還原,主體-E氧化,摻雜劑|T1摻雜劑+0.3eV
條件6-1
T1摻雜劑-0.4eV|E還原,摻雜劑-E氧化,主體|T1摻雜劑+0.3eV
條件5-2
S1摻雜劑-0.4eV|E還原,主體-E氧化,摻雜劑|S1摻雜劑+0.3eV
條件6-2
S1摻雜劑-0.4eV|E還原,摻雜劑-E氧化,主體|S1摻雜劑+0.3eV
其中,“E*氧化,摻雜劑”表示所述摻雜劑的以eV為單位的激發態氧化電勢,
“E*還原,摻雜劑”表示所述摻雜劑的以eV為單位的激發態還原電勢,
“E氧化,摻雜劑”表示所述摻雜劑的以eV為單位的基態氧化電勢,
“E還原,摻雜劑”表示所述摻雜劑的以eV為單位的基態還原電勢,
“E*還原,主體”表示所述主體的以eV為單位的激發態還原電勢,
“E*氧化,主體”表示所述主體的以eV為單位的激發態氧化電勢,
“E還原,主體”表示所述主體的以eV為單位的基態還原電勢,
“E氧化,主體”表示所述主體的以eV為單位的基態氧化電勢,
E*氧化,摻雜劑與E氧化,摻雜劑-T1摻雜劑相等,
E*還原,摻雜劑與E還原,摻雜劑+T1摻雜劑相等,
E*氧化,主體與E氧化,主體-S1主體相等,
E*還原,主體與E還原,主體+S1主體相等,
“T1摻雜劑”表示所述摻雜劑的以eV為單位的最低三線態能級,
“S1摻雜劑”表示所述摻雜劑的以eV為單位的最低單線態能級,
“S1主體”表示所述主體的以eV為單位的最低單線態能級,
E氧化,摻雜劑和E氧化,主體是通過使用循環伏安法(CV)測量的,
E還原,摻雜劑和E還原,主體是通過使用微分脈沖伏安法測量的,
T1摻雜劑和S1摻雜劑是由在溶液中的所述摻雜劑的光致發光(PL)光譜計算的,和
S1主體是由在溶液中的所述主體的光致發光光譜計算的,
其中“eV”表示“電子伏”,
其中所述主體包括i)至少一種給體化合物、ii)至少一種受體化合物、或者iii)至少一種給體化合物和至少一種受體化合物的組合,
其中所述受體化合物包括包含至少一個吸電子基團的化合物,
其中所述吸電子基團選自:
-F、-CFH2、-CF2H、-CF3、-CN、和-NO2;
被選自-F、-CFH2、-CF2H、-CF3、-CN、和-NO2的至少一個取代的C1-C60烷基;
各自包括*=N-*'作為成環部分的C1-C60雜芳基和單價非芳族稠合多環雜環基團;和
各自包括*=N-*'作為成環部分且各自被選自如下的至少一個取代的C1-C60雜芳基和單價非芳族稠合多環雜環基團:氘、-F、-CFH2、-CF2H、-CF3、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環烷基、取代或未取代的C1-C10雜環烷基、取代或未取代的C3-C10環烯基、取代或未取代的C1-C10雜環烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C7-C60芳烷基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的C1-C60雜芳氧基、取代或未取代的C1-C60雜芳硫基、取代或未取代的C2-C60雜芳烷基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環基團、和取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環基團,和
其中所述受體化合物包括由式A-1表示的化合物、由式A-2表示的化合物、或其任意組合:
式A-1
Ar11-(L11)a11-Ar12
式A-2
其中,在式A-1、A-2、13和14中,
Ar11和Ar12各自獨立地選自由式13和14表示的基團,
X1為N或C(T14),X2為N或C(T15),且X3為N或C(T16),條件是X1-X3的至少一個為N,
L11-L13各自獨立地選自:
單鍵、亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞萘基、亞芴基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、和亞二苯并噻吩基;和
各自被選自如下的至少一個取代的亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞萘基、亞芴基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、和亞二苯并噻吩基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、-CF3、-CF2H、-CFH2、苯基、被氰基取代的苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-Si(Q11)(Q12)(Q13),
a11-a13各自獨立地為選自0-5的整數;當a11為2或更大時,至少兩個L11基團彼此相同或不同;當a12為2或更大時,至少兩個L12基團彼此相同或不同;和當a13為2或更大時,至少兩個L13基團彼此相同或不同,
CY3和CY4各自獨立地選自苯基團、萘基團、芴基團、咔唑基團、苯并咔唑基團、吲哚并咔唑基團、二苯并呋喃基團、和二苯并噻吩基團,
A2選自:
單鍵、C1-C4亞烷基、和C2-C4亞烯基;和
各自被選自如下的至少一個取代的C1-C4亞烷基和C2-C4亞烯基:氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-Si(Q21)(Q22)(Q23),
T11-T16、R2、R30和R40各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基(CN)、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10環烷基、取代或未取代的C1-C10雜環烷基、取代或未取代的C3-C10環烯基、取代或未取代的C1-C10雜環烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C7-C60芳烷基、取代或未取代的C1-C60雜芳基、取代或未取代的C1-C60雜芳氧基、取代或未取代的C1-C60雜芳硫基、取代或未取代的C2-C60雜芳烷基、取代或未取代的單價非芳族稠合多環基團、取代或未取代的單價非芳族稠合雜多環基團、和-Si(Q1)(Q2)(Q3),
b3和b4各自獨立地為選自0-10的整數,和
所述取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10環烷基、取代的C1-C10雜環烷基、取代的C3-C10環烯基、取代的C1-C10雜環烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C7-C60芳烷基、取代的C1-C60雜芳基、取代的C1-C60雜芳氧基、取代的C1-C60雜芳硫基、取代的C2-C60雜芳烷基、取代的單價非芳族稠合多環基團、和取代的單價非芳族稠合雜多環基團的至少一個取代基選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳烷基、C1-C60雜芳基、C1-C60雜芳氧基、C1-C60雜芳硫基、C2-C60雜芳烷基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團、和-Si(Q31)(Q32)(Q33),
其中Q1-Q3、Q11-Q13、Q21-Q23、和Q31-Q33各自獨立地選自氫、氘、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、和單價非芳族稠合雜多環基團。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





