[發明專利]一種SiC納米線的表面改性方法有效
| 申請號： | 201810037696.3 | 申請日： | 2018-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN108117078B | 公開（公告）日： | 2020-12-08 |
| 發明（設計）人： | 張磊磊;郭瑤;李賀軍;李克智 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | C01B32/956 | 分類號： | C01B32/956;B82Y30/00;C25D9/08;C25D7/00;C25D5/54;C25D5/18 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 納米 表面 改性 方法 | ||
1.一種SiC納米線的表面改性方法，其特征在于步驟如下：
步驟1：將SiC納米線置于沉積爐中，通入流量為1.5～2.5升/分鐘的氬氣，然后以4～6度/分鐘的升溫速度升溫至950～1100度，然后通入流量為0.8～1.2升/分鐘的甲烷，保溫5～15分鐘后停止通入甲烷并關閉高溫爐，隨爐冷卻得到產品A；
步驟2：將電阻爐以4～6度/分鐘的升溫速度升溫至400～500度，將產品A放置入電阻爐中高溫處理10～60秒后得到產品B；
步驟3：將產品B置于電阻爐中，通入流量為0.1～1.0升/分鐘的氬氣，然后以4～8度/分鐘的升溫速度升溫至350～450度，然后以0.1～0.5毫升/分鐘的速度向電阻爐中加入蒸餾水，保溫5-30分鐘后停止加入蒸餾水并關閉電阻爐，隨爐冷卻得到產品C；
步驟4：將磷酸二氫銨溶于去離子水中配制成1～3毫摩爾/升的溶液，然后按照硝酸鈣和磷酸二氫銨的摩爾比為1.0～2.0加入硝酸鈣，然后攪拌均勻得到溶液；
步驟5：將產品C置于溶液中，然后加熱至溫度為60～70度，以產品C為電化學反應的陰極，以石墨片為電化學反應的陽極，陰極與陽極之間距離為10～30毫米，在陰極和陽極之間施加脈寬為10～50毫秒及脈間為150～300毫秒的脈沖電壓1～2伏，電壓施加的總時間為5～30秒，施加電壓結束后得到產品E；
步驟6：將產品E置于電阻爐中，通入流量為1.5～2.5升/分鐘的氬氣，然后以4～6度/分鐘的速度升溫至600～800度，保溫10～30分鐘后關閉電阻爐，隨爐冷卻后即完成SiC納米線的表面改性。
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