[發(fā)明專利]CVI法制備SiC產(chǎn)生尾氣的處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810035904.6
• 申請(qǐng)日: 2018-01-15
• 公開（公告）號(hào): CN108246060B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅瑞盈;王連毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類號(hào): B01D53/40
• 分類號(hào): B01D53/40;B01D53/75;B01D50/00;B01D53/14
• 代理公司: 北京酷愛智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11514
• 代理人: 安娜

1.一種CVI法制備SiC產(chǎn)生尾氣的處理方法，其特征在于，包括如下設(shè)備：高溫?zé)峤庀到y(tǒng)、冷卻過(guò)濾系統(tǒng)、反應(yīng)吸附系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、水環(huán)過(guò)濾系統(tǒng)和引風(fēng)系統(tǒng)，所述高溫?zé)峤庀到y(tǒng)與所述冷卻過(guò)濾系統(tǒng)連通，所述冷卻過(guò)濾系統(tǒng)與所述反應(yīng)吸附系統(tǒng)連通，所述反應(yīng)吸附系統(tǒng)與所述真空系統(tǒng)連通，所述真空系統(tǒng)與所述水環(huán)過(guò)濾系統(tǒng)連通，所述水環(huán)過(guò)濾系統(tǒng)與所述引風(fēng)系統(tǒng)連通；

其中，所述高溫?zé)峤庀到y(tǒng)包括高溫?zé)峤鉅t、控制柜、電源柜和冷卻水系統(tǒng)；

所述高溫?zé)峤鉅t采用感應(yīng)加熱方式，其加熱的最高溫度不小于2200℃，恒溫區(qū)長(zhǎng)徑比為3～5；所述冷卻過(guò)濾系統(tǒng)包括油過(guò)濾設(shè)備和擋板過(guò)濾設(shè)備；所述擋板過(guò)濾設(shè)備中采用的擋板的橫截面為波浪狀?yuàn)A層結(jié)構(gòu)，內(nèi)通冷卻水，且呈傾斜平行排布，傾斜角度為20°～50°，板間間距為10mm～40mm；所述反應(yīng)吸附系統(tǒng)采用多孔堿性固態(tài)介質(zhì)作為反應(yīng)吸附介質(zhì)，堿性固態(tài)介質(zhì)主要成分為堿土金屬氧化物顆粒和碳?xì)郑鰤A土金屬氧化物顆粒包括CaO和MgO；所述真空系統(tǒng)包括蝶閥、電磁截止閥和真空泵；所述水環(huán)過(guò)濾系統(tǒng)包括水環(huán)泵、汽水分離器、循環(huán)水管路、循環(huán)水箱和循環(huán)水箱供水系統(tǒng)；所述引風(fēng)系統(tǒng)包括引風(fēng)機(jī)和引風(fēng)管路；

利用上述的設(shè)備處理CVI法制備SiC產(chǎn)生的尾氣的方法，包括如下步驟：

高溫?zé)峤馓幚恚簩?duì)CVI-SiC沉積爐排除的尾氣進(jìn)行高溫?zé)峤馓幚恚?/p>

冷卻過(guò)濾：將所述高溫?zé)峤馓幚聿襟E得到的氣體冷卻，然后過(guò)濾掉氣體中的粉塵、焦油和高級(jí)硅烷化合物；

反應(yīng)吸附：將所述冷卻過(guò)濾步驟得到的氣體經(jīng)過(guò)多孔堿性固態(tài)介質(zhì)，對(duì)氣體中的酸性氣體及低沸點(diǎn)物質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)吸附；

水環(huán)過(guò)濾：將所述反應(yīng)吸附步驟得到的氣體通過(guò)真空系統(tǒng)，然后進(jìn)入水環(huán)泵進(jìn)行堿性液態(tài)介質(zhì)過(guò)濾，以過(guò)濾掉氣體中的酸性物質(zhì)；

引風(fēng)排出：將所述水環(huán)過(guò)濾步驟后得到的氣體經(jīng)引風(fēng)系統(tǒng)抽至高空并排入大氣。