[發明專利]一種BT-KBT-NN基高儲能密度陶瓷及其制備方法在審
| 申請號: | 201810035863.0 | 申請日: | 2018-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN108147812A | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 蒲永平;萬晶 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C04B35/468 | 分類號: | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 齊書田 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 預燒粉體 密度陶瓷 高儲能 制備 混合料 摩爾百分數 燒結 烘干 壓片 成型 | ||
本發明公開了一種BT?KBT?NN基高儲能密度陶瓷及其制備方法,首先制備BT預燒粉體、KBT預燒粉體和NN預燒粉體;其次將BT預燒粉體、KBT預燒粉體和NN預燒粉體按照化學式(1?x)(0.92BaTiO3?0.08(K0.5Bi0.5)TiO3)?xNaNbO3配料,其中x為0.02?0.08,x為摩爾百分數,混合均勻后烘干,然后壓片、成型后得到混合料片;然后將混合料片進行燒結,即得到BT?KBT?NN基高儲能密度陶瓷。
技術領域
本發明屬于儲能材料制備技術領域,具體涉及一種BT-KBT-NN基高儲能密度陶瓷及其制備方法。
背景技術
電容器作為一種重要的儲能器件,是電子設備中大量使用的電子元器件之一。而陶瓷電容器具有使用溫度范圍寬、壽命長、性能可靠等優點而被廣泛使用。電容儲能容易保持,不需要超導體。電容儲能還有很重要的一點就是能夠提供瞬間大功率,非常適合于激光器,閃光燈等應用場合。電容器儲存的能量大小由其尺寸和介質材料的儲能密度決定。為了減小其尺寸,提高其能量的存儲量,開發具有高儲能密度的陶瓷介質材料可以有效解決這一問題。陶瓷電容器具有使用溫度范圍寬、壽命長、性能可靠等優點而被廣泛使用。其中鐵電陶瓷材料具有介電常數大,非線性效應強等優點,單位體積鐵電陶瓷材料的儲能密度J可由下式計算:
J=∫EdP
其中P為極化強度,E為其擊穿強度。
鐵電陶瓷材料的儲能密度由其最小極化強度(Pr)、最大極化強度(Pm)和擊穿強度(Eb)共同決定。被廣泛研究的Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷的儲能密度僅僅為~0.37J/cm3,儲能密度較低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種BT-KBT-NN基高儲能密度陶瓷及其制備方法,以克服上述現有技術存在的缺陷,本發明制得的陶瓷材料儲能密度高達1.96J/cm3,并且制備方法簡單,易于實現。
為達到上述目的,本發明采用如下技術方案:
一種BT-KBT-NN基高儲能密度陶瓷,所述BT-KBT-NN基高儲能密度陶瓷的化學式為(1-x)(0.92BaTiO3-0.08(K0.5Bi0.5)TiO3)-xNaNbO3,其中x為0.04-0.08,x為摩爾百分數。
一種BT-KBT-NN基高儲能密度陶瓷的制備方法,包括以下步驟:
步驟一:制備BT預燒粉體、KBT預燒粉體和NN預燒粉體;
步驟二:將BT預燒粉體、KBT預燒粉體和NN預燒粉體按照化學式(1-x)(0.92BaTiO3-0.08(K0.5Bi0.5)TiO3)-xNaNbO3配料,其中x為0.04-0.08,x為摩爾百分數,混合均勻后烘干,然后壓片、成型后得到混合料片;
步驟三:將混合料片進行燒結,即得到BT-KBT-NN基高儲能密度陶瓷。
進一步地,步驟一中BT預燒粉體通過以下方法制得:按照化學式BaTiO3,將碳酸鋇和二氧化鈦混合均勻后在1150℃下保溫3h,制得BT預燒粉體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于陜西科技大學,未經陜西科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810035863.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





