[發(fā)明專利]極紫外(EUV)光刻掩模

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810034864.3
• 申請日: 2018-01-15
• 公開（公告）號: CN109669318B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫磊;O·R·伍德二世;G·貝克;陳宇路;E·沃爾杜伊恩;F·古德溫
• 申請（專利權(quán)）人: 格芯美國公司
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 李崢;于靜

1.一種極紫外掩模結(jié)構(gòu)，包括：

反射層；

位于所述反射層上的覆蓋材料層；

位于所述覆蓋材料層上的緩沖層，所述緩沖層為基于Ta的材料；

位于所述緩沖層上的交替吸收體層，其中所述交替吸收體層被設(shè)置為所述交替吸收體層的第一基于Ni的吸收體層位于所述緩沖層上，所述交替吸收體層的第二基于Ni的吸收體層為所述交替吸收體層的頂層，以及所述交替吸收體層的基于Ta的吸收體層位于所述第一基于Ni的吸收體層與所述第二基于Ni的吸收體層之間；

位于所述交替吸收體層的頂部上的基于Ta的材料的覆蓋層，所述覆蓋層在所述第二基于Ni的吸收體層上；以及

位于所述覆蓋材料層、所述緩沖層、所述交替吸收體層、所述覆蓋層中的圖案，所述圖案暴露所述反射層的頂表面，

其中所述緩沖層、所述交替吸收體層和所述覆蓋層的總厚度被配置為降低對于6°的入射EUV光的遮蔽效應(yīng)的嚴(yán)重度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述反射層為Mo/Si，所述覆蓋材料層為Ru。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述緩沖層是TaN或TaBN材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述交替吸收體層包括插入在所述第一基于Ni的吸收體層與所述第二基于Ni的吸收體層之間的附加的基于Ni的吸收體層和基于Ta的吸收體層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述第一基于Ni的吸收體層直接沉積在所述緩沖層上，并且所述緩沖層直接沉積在所述覆蓋材料上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述交替吸收體層中的每一個具有1nm至10nm的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述交替吸收體層中的每一個具有2nm至4nm的厚度。

8.一種極紫外掩模結(jié)構(gòu)，包括：

Mo/Si的多層反射層；

直接位于所述多層反射層上的覆蓋材料層；

直接位于所述覆蓋材料層上的緩沖層，所述緩沖層為基于Ta的材料；

位于所述緩沖層上的基于Ni的材料和基于Ta的材料的交替吸收體層，其中所述交替吸收體層被設(shè)置為所述交替吸收體層的第一基于Ni的吸收體層位于所述緩沖層上，所述交替吸收體層的第二基于Ni的吸收體層為所述交替吸收體層的頂層，以及所述交替吸收體層的基于Ta的吸收體層位于所述第一基于Ni的吸收體層與所述第二基于Ni的吸收體層之間；

位于所述交替吸收體層的頂部上的基于Ta的材料的覆蓋層，所述覆蓋層在所述第二基于Ni的吸收體層上；以及

位于所述覆蓋材料層、所述緩沖層、所述交替吸收體層、所述覆蓋層中的圖案，所述圖案暴露所述反射層的頂表面，

其中所述緩沖層、所述交替吸收體層和所述覆蓋層的總厚度被配置為降低對于6°的入射EUV光的遮蔽效應(yīng)的嚴(yán)重度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述覆蓋材料層是Ru。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述交替吸收體層包括插入在所述第一基于Ni的吸收體層與所述第二基于Ni的吸收體層之間的與附加的基于Ni的吸收體層交替的附加的基于Ta的吸收體層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述第一基于Ni的吸收體層直接沉積在所述緩沖層上。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述交替吸收體層中的每一個具有1nm至10nm的厚度。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的極紫外掩模結(jié)構(gòu)，其中所述交替吸收體層中的每一個具有2nm至4nm的厚度。