[發明專利]薄膜型電感器

有效

• 申請號: 201810034334.9
• 申請日: 2018-01-15
• 公開（公告）號: CN109215972B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 金范錫;文炳喆;奉康昱
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01F27/28
• 分類號: H01F27/28;H01F27/30;H01F27/32;H01F27/02;H01F27/29;H01F17/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;劉奕晴

1.一種薄膜型電感器，所述薄膜型電感器包括主體以及均設置在所述主體的外表面上的第一外電極和第二外電極，

所述主體包括：

支撐構件，具有通孔，

第一線圈，設置在所述支撐構件的上表面上，

第二線圈，設置在所述支撐構件的下表面上，所述第一線圈和所述第二線圈中的每個包括第一端和第二端，以及

磁性材料，圍繞所述支撐構件并且填充在所述通孔中；

其中，所述支撐構件包括在所述支撐構件中的過孔電極，以及

所述過孔電極的上表面和/或下表面的一部分與所述磁性材料相對，并且

其中，所述主體還包括絕緣材料，所述絕緣材料設置在所述過孔電極和所述磁性材料之間，以與所述過孔電極和所述磁性材料中的每個直接接觸，

其中，所述過孔電極形成在所述支撐構件中的與所述通孔不同的孔中。

2.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述過孔電極的所述上表面設置有所述第一線圈的所述第一端和所述磁性材料的第一填充部，所述過孔電極的所述下表面設置有所述第二線圈的所述第一端和所述磁性材料的第二填充部。

3.如權利要求2所述的薄膜型電感器，其中，所述絕緣材料設置在所述第一填充部與所述第一線圈的所述第一端之間以及所述第二填充部與所述第二線圈的所述第一端之間。

4.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述第一線圈的所述第二端連接到所述第一外電極，所述第二線圈的所述第二端連接到所述第二外電極。

5.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述第一線圈的所述第一端包括第一過孔墊，所述第一過孔墊的截面具有截圓形的形狀。

6.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述第二線圈的所述第一端包括第二過孔墊，所述第二過孔墊的截面具有截圓形的形狀。

7.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述絕緣材料分別設置在所述過孔電極的所述上表面和所述下表面的部分和與所述上表面和所述下表面的所述部分相對的所述磁性材料之間的間隙中。

8.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述過孔電極的直徑為30μm或更大且100μm或更小。

9.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述過孔電極的所述上表面直接連接到所述第一線圈的所述第一端。

10.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述過孔電極的所述下表面直接連接到所述第二線圈的所述第一端。

11.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述第一線圈的所述第一端的截面的形狀不同于所述過孔電極的截面的形狀。

12.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述第二線圈的所述第一端的截面的形狀不同于所述過孔電極的截面的形狀。

13.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述第一線圈的所述第一端的截面的面積小于所述過孔電極的截面的面積。

14.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述第二線圈的所述第一端的截面的面積小于所述過孔電極的截面的面積。

15.如權利要求1所述的薄膜型電感器，其中，所述過孔電極的中心與所述第一線圈的所述第一端的中心之間的距離等于所述過孔電極的所述中心與所述第二線圈的所述第一端的中心之間的距離，所述第一線圈的所述第一端的所述中心和所述第二線圈的所述第一端的所述中心在自所述過孔電極的所述中心起相反的方向上。