[發(fā)明專利]基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810032532.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108281550B | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖廣蘭;劉星月;史鐵林;劉智勇;韓京輝;涂玉雪;葉海波;湯自榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司: | 華中科技大學(xué)專利中心 42201 | 代理人: | 張彩錦;曹葆青 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈣鈦礦 鎂摻雜 太陽能電池 二氧化鈦 空穴傳輸層 光吸收層 導(dǎo)電基 光陽極 制備 電池 退火 二氧化鈦薄膜 前驅(qū)體溶液 商業(yè)化生產(chǎn) 對(duì)電極層 金紅石相 清洗處理 絲網(wǎng)印刷 退火處理 水浴法 酞菁銅 沉積 成膜 減小 商用 旋涂 蒸鍍 生產(chǎn)成本 制造 | ||
1.一種基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
(1)提供導(dǎo)電基底,并在所述導(dǎo)電基底上刻蝕出凹槽;
(2)對(duì)所述導(dǎo)電基底進(jìn)行清洗后吹干,接著對(duì)所述導(dǎo)電基底進(jìn)行紫外臭氧處理;
(3)采用低溫水浴法在所述導(dǎo)電基底上沉積金紅石相的鎂摻雜二氧化鈦薄膜,并進(jìn)行退火處理以形成光陽極:將導(dǎo)電基底通過保持架固定并豎直放置在盛有生長(zhǎng)溶液的燒杯中,再將燒杯置于恒溫水浴鍋中,并將生長(zhǎng)溶液的反應(yīng)溫度控制在70℃~75℃,生長(zhǎng)時(shí)間為2.5小時(shí)~3.5小時(shí),最后在100℃~120℃溫度下退火1小時(shí)~1.5小時(shí),其中,生長(zhǎng)液的Ti源為TiCl4、鎂摻雜源為無水MgCl2,TiCl4的濃度為0.2mol/L~0.3mol/L,無水MgCl2的濃度為0mol/L~0.055mol/L;
(4)在所述光陽極的表面旋涂鈣鈦礦前驅(qū)體溶液,并進(jìn)行加熱處理以得到三元混合陽離子鈣鈦礦層,即光吸收層;
(5)真空條件下,在所述光吸收層的表面蒸鍍一層酞菁銅,以形成空穴傳輸層;
(6)通過絲網(wǎng)印刷商用碳槳成膜來在所述空穴傳輸層上形成碳對(duì)電極層,由此完成基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池的制備。
2.如權(quán)利要求1所述的基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述退火溫度為100℃。
3.如權(quán)利要求1所述的基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述導(dǎo)電基底包括基片玻璃及設(shè)置在所述基片玻璃上的FTO導(dǎo)電層,所述凹槽貫穿所述FTO導(dǎo)電層,且鄰近所述導(dǎo)電基底的一端;所述光陽極設(shè)置在所述FTO導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述基片玻璃的表面上,其同時(shí)覆蓋所述凹槽的側(cè)壁壁面,所述側(cè)壁壁面與所述基片玻璃被所述光陽極覆蓋的表面區(qū)域垂直相交。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:步驟(2)具體包括以下步驟:分別用丙酮、乙醇、去離子水各超聲清所述導(dǎo)電基底10分鐘~15分鐘,然后用氮?dú)饬鞔蹈桑賹?duì)所述導(dǎo)電基底進(jìn)行紫外臭氧處理20分鐘~30分鐘。
5.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述鈣鈦礦前驅(qū)體溶液的濃度為1.25mol/L~1.3mol/L。
6.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:蒸鍍速度為
7.一種基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于:所述鈣鈦礦太陽能電池是采用權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法制備的。
8.如權(quán)利要求7所述的基于鎂摻雜二氧化鈦的鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于:所述光陽極的厚度為150nm~200nm;所述空穴傳輸層的厚度為35nm~40nm;所述碳對(duì)電極層的厚度為10μm~30μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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