[發明專利]一種浮地壓控憶阻器等效元件

有效

• 申請號: 201810031515.6
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN107993686B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 蒲亦非;盧培鋒;汪淮;李炳法;蔣懷義
• 申請（專利權）人: 深圳璞芯智能科技有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248
• 代理人: 胡吉科

本發明提出了一種浮地壓控憶阻器等效元件，包括三個電壓跟隨器A1、A2和A6、減法器A3、電壓電流轉換器A4、反相積分器A5、乘法器以及多通道鏡像電流源。輸入端、輸入端分別經電壓跟隨器后在減法器處做差，然后通過電壓電流轉換器得到輸入電流Iin，再經多通道鏡像電流源鏡像后實現Iin=Iout。控制電壓源經反相積分器積分后送入乘法器，鏡像電流源的鏡像電流也送入乘法器。本發明的浮地壓控憶阻器等效元件具有以下電氣優點：制造成本低、對靜電放電低敏感、對電磁干擾低敏感、輸入電流嚴格等于輸出電流、可任意接入的浮地憶阻等效元件。

技術領域

本發明涉及憶阻器技術領域，尤其涉及一種浮地壓控憶阻器等效元件。

背景技術

憶阻作為迷失的非線性無源二端元器件是由蔡少棠猜想并推廣到憶阻系統的，它具有非易失性。更廣義的定義認為憶阻基于電阻開關效應可以涵蓋所有形式的雙端非易失存儲器。

憶阻M具有以下關系式：

其中q和t分別表示磁通量、電荷量和時間變量。R[q(t)]這個函數的斜率稱為憶阻，類似如下可變電阻：

其中V_i(t)和I_i(t)表示憶阻瞬時輸入電壓和輸入電流。

如今憶阻在許多科學領域被用來構建憶阻系統，如生物過程仿真、合成神經元、多級存儲系統等。阻器一般可分為五類：二氧化鈦憶阻，聚合物憶阻器，分層憶阻器，鐵電憶阻器和自旋憶阻系統，例如由美國BioInspired Technologies,LLC公司研發的神經比特憶阻(Neuro-Bit)，是迄今為止唯一商業在售的憶阻器，它是一種在有記憶的硅晶片上制作的納米薄膜電阻器，然而，該憶阻的動態范圍小，測試設備要求比較高，工作環境的影響大及售價高。因此神經比特憶阻的應用在很大程度上受到以上限制。探索一種低成本的浮地壓控憶阻等效元件非常有意義。

發明內容

為了解決現有技術中的問題，本發明提出了一種浮地壓控憶阻器等效元件。本發明采用如下技術方案：