[發(fā)明專利]有源材質(zhì)層及其制造方法、顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810031419.1
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108257978B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發(fā)明（設計）人: 曹英;李小龍;辛燕霞;李雪萍;張鍇;周才龍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種有源材質(zhì)層的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成緩沖層；

在所述緩沖層上采用PECVD方式形成材質(zhì)為非晶硅的初始層；

采用去氫處理方式對所述初始層進行處理；

采用等離子體處理方式對所述去氫處理方式后的所述初始層進行處理，以得到非晶硅層，所述非晶硅層中氫元素的含量小于或者等于2％；

在所述非晶硅層上采用原子層沉積方式沉積類單晶硅層，以得到包括所述非晶硅層和所述類單晶硅層的有源材質(zhì)層，所述類單晶硅層的厚度小于所述非晶硅層的厚度；

所述類單晶硅層包括多層類單晶硅原子層，所述采用原子層沉積方式沉積類單晶硅層，包括：

確定能夠反應生成類單晶硅的n種前驅體，n為大于或等于1的正整數(shù)；

在所述非晶硅層上依次沉積所述n種前驅體，以使得所述n種前驅體反應得到一層類單晶硅原子層，每沉積一次所述前驅體后進行一次正三價離子的摻雜，沉積所述類單晶硅層時的窗口溫度范圍為200～400攝氏度；

向所述一層類單晶硅原子層摻雜正三價離子；

多次重復上述沉積前驅體和摻雜的步驟。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在沉積每種前驅體后使用惰性氣體沖洗所述每種前驅體。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述類單晶硅層的厚度為15納米。

4.一種有源材質(zhì)層，其特征在于，所述有源材質(zhì)層包括非晶硅層與類單晶硅層，所述類單晶硅層的厚度小于所述非晶硅層的厚度，所述非晶硅層采用預設方式形成，所述類單晶硅層采用原子層沉積方式形成，所述預設方式包括： PECVD方式和目標方式，所述目標方式包括去氫處理方式，所述非晶硅層為采用所述目標方式對材質(zhì)為非晶硅的初始層進行處理得到的，所述初始層采用所述PECVD方式形成，所述非晶硅層中氫元素的含量小于2％，所述目標方式還包括等離子體處理方式，所述非晶硅層為依次采用所述去氫處理方式以及所述等離子體處理方式對所述初始層進行處理得到的；

所述類單晶硅層包括多層類單晶硅原子層，所述類單晶硅層的形成過程包括：

確定能夠反應生成類單晶硅的n種前驅體，n為大于或等于1的正整數(shù)；

在所述非晶硅層上依次沉積所述n種前驅體，以使得所述n種前驅體反應得到一層類單晶硅原子層，每沉積一次所述前驅體后進行一次正三價離子的摻雜；

向所述一層類單晶硅原子層摻雜正三價離子；

多次重復上述沉積前驅體和摻雜的步驟。

5.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源層，所述有源層由權利要求4所述的有源材質(zhì)層進行圖案化處理得到。