[發明專利]圓筒形防濺射靶

在審

• 申請號: 201810031016.7
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108216697A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 凌桂龍;李晶華;夏勇
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: B64G7/00
• 分類號: B64G7/00;F28D21/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 孫輝

本發明涉及一種用于地面電推進試驗等離子空間環境模擬設備中的防濺射系統技術領域，尤其涉及一種圓筒形防濺射靶。圓筒形防濺射靶包括圓筒形防濺射靶骨架主體和圓筒形防濺射靶翅片組；圓筒形防濺射靶骨架主體包括第一管、第二管和第一冷卻管；第一冷卻管呈環形，第一冷卻管有多個；多個第一冷卻管通過第一管和第二管固定連接，形成圓筒形，且第一管、第二管和多個第一冷卻管之間均連通；第一管上連接有第一進液口，第二管上連接有第一出液口；圓筒形防濺射靶翅片組與第一冷卻管連接，形成圓筒形的側壁。本發明在于提供一種圓筒形防濺射靶，以解決現有技術中存在的防濺射靶對濺射產物及返流污染物的降低效果不佳的技術問題。

技術領域

本發明涉及一種用于地面電推進試驗等離子空間環境模擬設備中的防濺射系統技術領域，尤其是涉及一種圓筒形防濺射靶。

背景技術

電推進羽流主要由氣體電離形成的等離子體組成，包含束流等離子體和電荷交換等離子體，會對航天器產生濺射污染效應，既包括帶電粒子和中性粒子的沉積污染，又有高速帶電粒子對航天器表面濺射刻蝕造成的濺射污染。

在地面電推進試驗中，當高能束流離子和電荷交換離子碰撞于真空艙艙壁材料表面時，只要離子能量大于被碰撞材料的濺射閾值就會產生濺射污染，從而影響真空艙內粒子分布情況，嚴重影響實驗結果。因此，需要對防濺射分子沉進行合理設計。

國際上一些適用于電推進的大型真空艙的防濺射分子沉結構的設計結構主要有平板式，異形式兩種。但是現有的的防濺射分子沉結構的防濺射靶的結構簡單，且在進行長時間地面電推進實驗以及沉積污染物成分、質量分析時，濺射產物的空間分布及返流污染物都會對實驗結果造成影響。

因此，本申請針對上述問題提供一種新的圓筒形防濺射靶。

發明內容

本發明的目的在于提供一種圓筒形防濺射靶，以解決現有技術中存在的防濺射靶對濺射產物及返流污染物的降低效果不佳的技術問題。

基于上述目的，本發明提供一種圓筒形防濺射靶，包括圓筒形防濺射靶骨架主體和圓筒形防濺射靶翅片組；

所述圓筒形防濺射靶骨架主體包括第一管、第二管和第一冷卻管；

所述第一冷卻管呈環形，且所述第一冷卻管有多個，多個所述第一冷卻管的軸線方向重合；

多個所述第一冷卻管通過所述第一管和所述第二管固定連接，形成圓筒形，且所述第一管、所述第二管和多個所述第一冷卻管之間均相連通；

所述第一管上連接有第一進液口，所述第二管上連接有第一出液口；

所述圓筒形防濺射靶翅片組與所述第一冷卻管連接，形成所述圓筒形的側壁。

在上述任一技術方案中，進一步地，本發明所述第一管和所述第二管的軸線方向平行；

所述第一管和所述第二管分別連接于所述第一冷卻管沿徑向方向的兩端。

在上述任一技術方案中，進一步地，本發明所述圓筒形防濺射靶為臥式結構；

所述第一管位于所述第二管的底端。

在上述任一技術方案中，進一步地，本發明多個所述第一冷卻管沿所述第一管的軸線方向均勻設置。

在上述任一技術方案中，進一步地，本發明所述的圓筒形防濺射靶，還包括進液總管；

所述進液總管設置于所述第一管遠離所述第二管的一側，且所述進液總管的軸線方向與所述第一管的軸線方向平行；

沿所述圓筒形的軸線方向，所述圓筒形具有相對應的第一端和第二端；

多個所述第一冷卻管中靠近所述第一端的第一冷卻管為第一端管，靠近所述第二端的第一冷卻管為第二端管；