[發明專利]體聲波諧振器及制造體聲波諧振器的方法

有效

• 申請號: 201810030542.1
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108736856B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 林昶賢;樸潤錫;金鐘云;金泰潤;李文喆
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/17;H03H3/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;馬金霞

本發明提供一種體聲波諧振器及制造體聲波諧振器的方法。所述體聲波諧振器包括：基板，包括腔槽；膜層，設置在所述基板的上方并包括凸起部。下電極的一部分設置在所述凸起部上。所述體聲波諧振器還包括壓電層和上電極，所述壓電層被構造為使得所述壓電層一部分設置在所述凸起部之上，所述上電極設置在所述壓電層上。通過所述腔槽形成的第一空間以及通過所述凸起部形成的第二空間形成腔，所述腔槽設置在有效區域之下，所述凸起部包括設置在所述腔槽的外部的傾斜表面。

本申請要求于2017年4月19日在韓國知識產權局提交的第10-2017-0050608號韓國專利申請的優先權和權益，所述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。

技術領域

以下描述涉及一種體聲波諧振器及制造體聲波諧振器的方法。

背景技術

通常，通過犧牲層的厚度來確定體聲波諧振器中的可確保用于諧振的空間。

此外，隨著犧牲層厚度進一步減小，諧振部和基板在制造過程期間會粘附的可能性高，增大了對結構和工藝設計的限制。

另一方面，隨著犧牲層的厚度增大，諧振部和基板之間發生粘附的可能性會降低。然而，就制造工藝而言，無條件地增加犧牲層的厚度可能是不可行的。

例如，為了制造用于產生諧振的諧振結構，在犧牲層上沉積多個薄膜。為此，犧牲層通過斜蝕刻(slope etching)而傾斜。然而，隨著犧牲層的厚度增大，犧牲層的傾斜表面的長度也增大，這導致整個濾波器裝置以及相應的諧振器的尺寸增大。此外，隨著犧牲層的厚度增大，由于諧振器之間的連接部分的長度的增大可容易導致特性劣化。

此外，由于增大犧牲層的厚度導致臺階的尺寸的增大以與后續工藝中增大的厚度對應，因此可能發生工藝精度方面的負面性能問題。

因此，需要開發可減少基板的粘附的發生并且還可解決由于犧牲層的厚度的增大而導致的問題的結構。

發明內容

提供本發明內容以按照簡化形式介紹選擇的構思，以下在具體實施方式中進一步描述所述構思。本發明內容并不意在確定所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

示例提供一種防止基板和膜層之間的粘附的體聲波諧振器以及制造體聲波諧振器的方法。

根據示例，提供一種體聲波諧振器，所述體聲波諧振器包括：基板，包括腔槽；膜層，設置在所述基板之上并包括凸起部；下電極，所述下電極的一部分設置在所述凸起部上；壓電層，被構造為使得所述壓電層一部分可設置在所述凸起部之上；以及上電極，設置在所述壓電層上，其中，通過所述腔槽形成的第一空間以及通過所述凸起部形成的第二空間形成腔，所述腔槽可設置在有效區域之下，所述凸起部可包括設置在所述腔槽的外部的傾斜表面。

所述腔槽可具有設置在所述有效區域的中央部分中的尺寸。

所述腔槽可被構造為具有與所述凸起部對應的尺寸。

所述凸起部可包括形成在所述凸起部周圍的支撐層，以使所述下電極可設置在平坦的表面上。

所述支撐層可利用包括氮化硅(Si₃N₄)或氧化硅(SiO₂)的材料形成，或者利用與鹵化物類蝕刻氣體具有相對低的反應性的材料形成。

所述體聲波諧振器還可包括：金屬焊盤，被構造為連接到所述下電極的一部分和所述上電極的一部分；以及鈍化層，設置在除了所述上電極和所述下電極的可形成所述金屬焊盤的區域之外的區域上。

所述上電極可設置有形成在所述上電極上的框架部，以使所述框架部可設置在所述有效區域的邊緣處。

所述第一空間的體積可大于所述第二空間的體積。