[發明專利]硬掩模組合物、其制法和使用其形成圖案化的層的方法

在審

• 申請號: 201810030517.3
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN109256328A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 李東郁;金尚元;薛珉洙;樸晟準;申鉉振;李潤姓;鄭盛駿;A.鄭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王華芹

1.硬掩模組合物，其包括：

石墨烯量子點；

與所述石墨烯量子點化學鍵合的金屬化合物；和

溶劑。

2.如權利要求1所述的硬掩模組合物，其中所述金屬化合物包括金屬氧化物、金屬碳化物、或其組合。

3.如權利要求2所述的硬掩模組合物，其中所述金屬氧化物包括如下的至少一種：鋯(Zr)氧化物、鈦(Ti)氧化物、鎢(W)氧化物、或鋁(Al)氧化物，和所述金屬碳化物包括如下的至少一種：鋯(Zr)碳化物、鈦(Ti)碳化物、鎢(W)碳化物、或鋁(Al)碳化物。

4.如權利要求1所述的硬掩模組合物，其中所述石墨烯量子點與所述金屬化合物共價鍵合。

5.如權利要求1所述的硬掩模組合物，其中

所述石墨烯量子點經由M-O-C鍵或M-C鍵與所述金屬化合物鍵合，

其中M為金屬元素，O為氧，且C為碳。

6.如權利要求1所述的硬掩模組合物，其中所述石墨烯量子點的尺寸大于0nm且小于或等于10nm。

7.如權利要求1所述的硬掩模組合物，其中所述金屬化合物為納米顆粒的形式。

8.如權利要求7所述的硬掩模組合物，其中所述金屬化合物的納米顆粒各自具有大于0nm且小于或等于2nm的尺寸。

9.如權利要求1所述的硬掩模組合物，其中所述金屬化合物的量大于0重量％且小于或等于10重量％，基于所述石墨烯量子點和所述金屬化合物的總重量。

10.如權利要求1所述的硬掩模組合物，其中所述溶劑為有機溶劑。

11.如權利要求1所述的硬掩模組合物，其中所述溶劑包括如下的至少一種：N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基甲酰胺(DMF)、四氫呋喃(THF)、或丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)。

12.形成圖案化的層的方法，所述方法包括：

在基底上形成硬掩模圖案,

所述基底包括蝕刻對象部分，

所述形成硬掩模圖案包括在所述基底上提供如權利要求1-11任一項所述的硬掩模組合物，由所述硬掩模組合物形成硬掩模，在所述硬掩模上形成圖案化的光刻膠膜，和使用所述圖案化的光刻膠膜作為蝕刻掩模蝕刻所述硬掩模以形成所述硬掩模圖案；和

通過使用所述硬掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述基底的蝕刻對象部分而形成圖案化的層。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述形成硬掩模圖案包括使用旋涂、絲網印刷、刮涂、噴涂、電噴射、浸涂、或棒涂之一在所述基底上提供所述硬掩模組合物。

14.如權利要求12所述的方法，其中所述形成硬掩模圖案包括在所述基底上提供所述硬掩模組合物之后將所述硬掩模組合物在大于0℃且小于或等于500℃的溫度下熱處理。

15.如權利要求12所述的方法，其中所述硬掩模具有10nm-500nm的厚度。

16.如權利要求12所述的方法，其中所述硬掩模為電絕緣層。

17.制備硬掩模組合物的方法，所述方法包括：

將金屬化合物的前體和石墨烯量子點添加至溶劑；和

由所述溶劑中的所述前體形成金屬化合物，所述金屬化合物與所述石墨烯量子點化學鍵合。

18.如權利要求17所述的方法，其中，在形成與所述石墨烯量子點化學鍵合的金屬化合物之前，所述石墨烯量子點的碳含量在50原子％-80原子％的范圍內。