[發明專利]光電子器件及其封裝結構

有效

• 申請號: 201810029222.4
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN110034076B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 張志珂;張一鳴;劉宇;劉建國;祝寧華;張琦;王會濤;劉真南
• 申請（專利權）人: 中興光電子技術有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/48;H01L31/02
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 孫浩

本申請提出一種光電子器件及其封裝結構，封裝結構包括：高頻電極；低頻電極；高頻傳輸線，與高頻電極直接相連；和低頻傳輸線，與低頻電極直接相連或間接相連。高頻傳輸線與高頻電極直接相連，如直接進行焊接連接或直接進行對接壓連等的方式，以大幅度減少采用間接連接所使用的連接線的使用數量，避免因大量使用連接線而引入的寄生效應，防止導致光電子器件性能惡化而造成無法忽視的影響。

技術領域

本發明涉及通信技術領域，具體涉及一種光電子器件的封裝結構和一種光電子器件。

背景技術

隨著現代通信容量的急劇增加，光電子器件在提高信息傳輸和處理的速率方面起著關鍵的作用。然而，光電子器件的最終性能取決于芯片是否采取了合理的高頻封裝。例如：光電子器件上具有高頻電極、低頻電極、高頻傳輸線和低頻傳輸線，高頻傳輸線和高頻電極之間需要進行良好的電連接，低頻信號線和低頻電極之間也需要進行良好的電連接，電連接多采用金絲連接的方式來實現。然而，金絲的使用量比較大，會引入寄生效應，進而惡化光電子器件的性能，造成的影響無法忽視。

發明內容

本發明實施例提供了一種光電子器件的封裝結構，大幅度減少了金絲的使用數量，以此來避免引入寄生效應，防止導致光電子器件性能惡化而造成無法忽視的影響。

本發明實施例提供了一種光電子器件的封裝結構，包括：高頻電極；低頻電極；高頻傳輸線，與所述高頻電極直接相連；和低頻傳輸線，與所述低頻電極直接相連或間接相連。

可選地，所述封裝結構還包括：信號傳輸單元，其上具有第一高頻電極和第一低頻電極；和電路板，其上具有所述高頻傳輸線和所述低頻傳輸線，所述高頻傳輸線的一端與所述第一高頻電極直接相連，所述低頻傳輸線的一端與所述第一低頻電極直接相連或間接相連；其中，所述高頻電極包括所述第一高頻電極，所述低頻電極包括所述第一低頻電極。

可選地，高頻傳輸線位于電路板的下表面上，低頻傳輸線位于電路板的上表面上；或；高頻傳輸線位于電路板的上表面上，低頻傳輸線位于電路板的下表面上；或；高頻傳輸線和低頻傳輸線均位于電路板的下表面上；或；高頻傳輸線和低頻傳輸線均位于電路板的上表面上。

可選地，所述封裝結構還包括：連接線，所述低頻傳輸線的一端與所述第一低頻電極通過所述連接線間接相連。

可選地，所述連接線為金絲，所述第一高頻電極和所述高頻傳輸線均為共面波導傳輸線。

可選地，所述第一高頻電極包括位于所述信號傳輸單元兩端且相互對應電連接的兩組，所述第一低頻電極包括位于所述信號傳輸單元兩端且相互對應電連接的兩組，所述低頻傳輸線的一端和所述高頻傳輸線的一端均對應與所述信號傳輸單元的同一端的所述第一高頻電極和所述第一低頻電極電連接。

可選地，所述封裝結構還包括：光電探測單元，固定在所述電路板上、并與所述低頻傳輸線的另一端和所述高頻傳輸線的另一端采用焊劑直接進行焊接連接。

可選地，所述低頻傳輸線位于所述電路板的上表面上，所述高頻傳輸線位于所述電路板的下表面上，所述光電探測單元固定在所述電路板的下表面上；且所述電路板上設置有過孔，所述過孔對應處于所述低頻傳輸線的另一端，所述高頻傳輸線的另一端與所述光電探測單元采用焊球或焊柱直接進行倒裝焊接，所述低頻傳輸線的另一端通過所述過孔與所述光電探測單元采用焊球或焊柱直接進行倒裝焊接，所述焊劑為焊球或焊柱。

可選地，所述光電探測單元包括互阻放大器，所述互阻放大器具有第二高頻電極和第二低頻電極，所述第二高頻電極與所述高頻傳輸線的另一端采用焊球或焊柱直接進行倒裝焊接，所述第二低頻電極與所述低頻傳輸線的另一端通過所述過孔采用焊球或焊柱直接進行倒裝焊接；其中，所述高頻電極還包括所述第二高頻電極，所述低頻電極還包括所述第二低頻電極。