[發明專利]少層MoS2

有效

• 申請號: 201810029005.5
• 申請日: 2018-01-12
• 公開（公告）號: CN108579768B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 呂建國
• 申請（專利權）人: 合肥師范學院
• 主分類號: B01J27/051
• 分類號: B01J27/051;B01J35/02;C02F1/30;C02F101/36;C02F101/38
• 代理公司: 常州興瑞專利代理事務所(普通合伙) 32308
• 代理人: 肖興坤

本發明公開了一種少層MoS₂修飾Ag?TiO₂納米復合薄膜的制備方法，方法的步驟中含有：(a)制備TiO₂納米薄膜；(b)制備Ag?TiO₂納米復合薄膜；(c)制備少層MoS₂修飾Ag?TiO₂納米復合薄膜：對得到的Ag?TiO₂納米復合薄膜進行紫外光照處理，處理結束后，然后至少進行二次少層MoS₂修飾步驟，得到少層MoS₂修飾Ag?TiO₂納米復合薄膜；其中，每次少層MoS₂修飾步驟中包括：在Ag?TiO₂納米復合薄膜表面滴適量少層MoS₂分散液，待少層MoS₂分散液潤濕Ag?TiO₂納米復合薄膜表面后，將少層MoS₂分散液均勻涂覆于Ag?TiO₂納米復合薄膜表面，然后烘干處理。該方法制備過程簡單，原材料成本相對較低，無毒，并且利用少層MoS₂和Ag納米顆粒的協同作用使得該薄膜具有較高的可見光催化降解效率，而且制備得到的薄膜易于回收和重復利用。

技術領域

本發明涉及一種少層MoS₂修飾Ag-TiO₂納米復合薄膜的制備方法，屬于納米復合材料技術領域。

背景技術

目前，世界經濟飛速發展和工業化水平不斷提升，對能源的消耗量日益增加，現今我們使用的能源主要以化石能源為主，化石能源的大量使用使得人們賴以生存的自然環境遭到嚴重的破壞，環境問題已受到人們的高度重視，能源短缺和環境污染問題已經成為制約我國未來經濟發展和社會穩定的關鍵問題之一。因此，如何有效解決能源短缺和環境污染問題迫在眉睫。自上世紀70年代日本科學家利用二氧化鈦和紫外光實現光催化分解水產生氫氣和氧氣以來，光催化技術進入了一個飛速發展的階段，光催化技術在染料污水處理方面的應用引起廣泛關注。

二氧化鈦作為一種重要的寬禁帶半導體材料，具有制備成本低廉、催化活性高、化學性能穩定、無毒無害、原料來源豐富等優點，在光催化、污水處理和空氣凈化等方面具有重要的應用前景。然而，由于二氧化鈦光催化材料帶隙較寬(禁帶寬度約為3.2eV)，單純的二氧化鈦材料只能吸收太陽光中的紫外光，且其光生電子空穴對的復合率較高，光量子效率較低，對太陽能的利用率較低，以上問題限制二氧化鈦廣泛應用于生產和生活。因此，調控二氧化鈦禁帶寬度使其吸收光譜向可見光區延伸和提高其光量子效率成為該領域的研究熱點。人們通過摻雜、與其它氧化物半導體進行耦合、表面負載貴金屬和量子點修飾等將TiO₂的吸收光譜延伸到可見光區，以提高其對太陽能的利用；同時也有助于增強光生電子-空穴對的有效分離，提高其光量子效率。然而，對于在負載有貴金屬的TiO₂納米薄膜表面再進行類石墨烯的二維層狀化合物修飾，通過類石墨烯的二維層狀化合物與貴金屬的協同作用進一步提升其光催化性能的研究工作相對較少。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷，提供一種少層MoS₂修飾 Ag-TiO₂納米復合薄膜的制備方法，該方法制備過程簡單，原材料成本相對較低，無毒，并且利用少層MoS₂和Ag納米顆粒的協同作用使得該薄膜具有較高的可見光催化降解效率，而且制備得到的薄膜易于回收和重復利用。

為了解決上述技術問題，本發明的技術方案是：一種少層MoS₂修飾Ag-TiO₂納米復合薄膜的制備方法，方法的步驟中含有：

(a)制備TiO₂納米薄膜；

(b)制備Ag-TiO₂納米復合薄膜：在TiO₂納米薄膜表面負載Ag納米顆粒，然后烘干得到Ag-TiO₂納米復合薄膜；