[發(fā)明專利]場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810028656.2
• 申請(qǐng)日: 2018-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN108389890B
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃賢國(guó);宋洵奕;王猛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)(杭州)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，包括：

襯底；

第一阱區(qū)，位于所述襯底上；

第二阱區(qū)、位于所述第一阱區(qū)內(nèi)；

體接觸區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)，位于所述第一阱區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)位于所述體接觸區(qū)與所述漏區(qū)之間；以及

柵極導(dǎo)體，位于所述第一阱區(qū)上，

其中，所述襯底、第一阱區(qū)、所述第二阱區(qū)和體接觸區(qū)為第一摻雜類型，所述源區(qū)和漏區(qū)為第二摻雜類型，所述第二阱區(qū)的摻雜濃度高于所述第一阱區(qū)的摻雜濃度，

在所述第一阱區(qū)中所述源區(qū)與所述漏區(qū)之間形成溝道，所述第二阱區(qū)形成寄生三極管的基區(qū)以減小所述寄生三極管的基區(qū)電阻，且所述第二阱區(qū)不影響所述溝道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述第二阱區(qū)至少位于在所述體接觸區(qū)與所述源區(qū)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，通過調(diào)節(jié)所述第一阱區(qū)的摻雜濃度來調(diào)節(jié)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的擊穿電壓，以及通過調(diào)節(jié)所述第二阱區(qū)的摻雜濃度來調(diào)節(jié)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的維持電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述第一摻雜類型為N型和P型之一，所述第二摻雜類型為N型和P型中另一個(gè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的擊穿點(diǎn)發(fā)生在所述漏區(qū)與所述第一阱區(qū)交界處。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述第二阱區(qū)位于所述體接觸區(qū)與所述源區(qū)之間，所述體接觸區(qū)以及所述源區(qū)位于所述第一阱區(qū)內(nèi)，所述柵極導(dǎo)體位于所述第一阱區(qū)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述體接觸區(qū)位于所述第二阱區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)位于所述第一阱區(qū)內(nèi)，所述柵極導(dǎo)體位于所述第一阱區(qū)上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述體接觸區(qū)位于所述第二阱區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)位于所述第一阱區(qū)以及第二阱區(qū)內(nèi)，所述柵極導(dǎo)體位于所述第一阱區(qū)上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述體接觸區(qū)以及所述源區(qū)位于所述第二阱區(qū)內(nèi)，所述源區(qū)靠近所述柵極導(dǎo)體的一邊與所述第二阱區(qū)靠近所述柵極導(dǎo)體的一邊接近，使得所述柵極導(dǎo)體位于所述第一阱區(qū)上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述第二阱區(qū)比所述體接觸區(qū)深。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述體接觸區(qū)、所述源區(qū)以及所述漏區(qū)的上表面暴露于所述阱區(qū)之外。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，通過柵介質(zhì)層將所述柵極導(dǎo)體的下表面與所述阱區(qū)的上表面隔開。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，在所述體接觸區(qū)與所述源區(qū)之間、所述體接觸區(qū)與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的邊緣之間、所述漏區(qū)與所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的邊緣之間還設(shè)有絕緣層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，還包括：

N阱區(qū)，位于所述襯底和阱區(qū)之間。