[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體激光器材料鈍化方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810028476.4 | 申請日: | 2018-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN108288816A | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 魏志鵬;方鉉;唐吉龍;賈慧民;房丹;李浩林;李如雪;郝永琴;王曉華;馬曉輝 | 申請(專利權(quán))人: | 長春理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01S5/028 | 分類號: | H01S5/028 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 130022 *** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體激光器 腔面 諧振腔 鈍化 表面材料 鈍化層 沉積 等離子體輔助 離子束轟擊 諧振腔表面 性能穩(wěn)定性 鈍化處理 工藝處理 輸出功率 真空環(huán)境 表面態(tài) 離子束 懸掛鍵 氧化層 中低溫 位錯 轟擊 去除 清洗 損傷 潔凈 污染 | ||
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體激光器材料鈍化方法。該方法適用于對半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面材料進行鈍化處理,具體包括用離子束對半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面材料進行轟擊清洗和采用ALD技術(shù)對半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面沉積AlN鈍化層實現(xiàn)。本發(fā)明公開的這種半導(dǎo)體激光器材料鈍化方法,在真空環(huán)境中用離子束轟擊諧振腔表面后有效去除腔面的氧化層、腔面污染、表面態(tài)、表面材料位錯、表面材料的懸掛鍵,獲得潔凈的半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面,在等離子體輔助條件下實現(xiàn)ALD裝置中低溫沉積獲得AlN鈍化層對諧振腔腔面進行保護。本發(fā)明公開的這種方法通過對諧振腔腔面進行工藝處理,提高了半導(dǎo)體激光器的腔面損傷閾值,實現(xiàn)器件的輸出功率、壽命和性能穩(wěn)定性的提高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域,特別涉及一種半導(dǎo)體激光器制備工藝,具體涉及半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面材料表面鈍化工藝,該工藝在半導(dǎo)體激光器諧振腔表面材料鈍化過程中結(jié)合離子轟擊和原子層沉積技術(shù)在真空環(huán)境中進行,有效降低半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面材料的表面態(tài)密度和非輻射復(fù)合中心,提高半導(dǎo)體激光器器件發(fā)光效率、激光輸出功率和激光器器件壽命。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體激光器具有體積小、重量輕、壽命長、成本低、易于大量生產(chǎn)等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于整個光電子學(xué)領(lǐng)域,已成為當(dāng)今光電子科學(xué)領(lǐng)域的核心器件。在半導(dǎo)體激光器實際應(yīng)用中,高亮度大功率的半導(dǎo)體激光器可作為固體激光器和光纖激光器的理想泵浦源,在材料加工、自由空間通訊、醫(yī)療等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體激光器應(yīng)用越來越廣泛,對半導(dǎo)體激光器器件激光輸出的功率、壽命及輸出激光穩(wěn)定性要求越來越嚴(yán)格,并已成為限制半導(dǎo)體激光器應(yīng)用的重要影響因素。
在半導(dǎo)體激光器器件中,半導(dǎo)體激光器的諧振腔是一個重要組成部分,由自然解理面構(gòu)成,因此,解理面對于半導(dǎo)體激光器的可靠性有著重要的影響。在進行到解理激光器Bar條工藝獲得的Bar條的端面即為半導(dǎo)體激光器諧振腔的腔面,在半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面的材料,材料的晶體周期性被破壞從而產(chǎn)生很多懸鍵,使得晶體表面存在了很多缺陷能級。另外,表面吸附的氧,位錯,表面殘留物和污染都會在原有的帶隙中引入新的缺陷能級,這些都會在端面形成復(fù)合中心。同時,當(dāng)半導(dǎo)體激光器芯片在空氣中解理時,新解理出來的腔面很容易與空氣中的氧原子或是其他雜質(zhì)發(fā)生反應(yīng),進而產(chǎn)生氧化或是其他污染,并且半導(dǎo)體激光器腔面長時間暴露在空氣中也極易產(chǎn)生腔面污染,造成表面態(tài)的生成。III-V族化合物半導(dǎo)體材料暴露在空氣中時,由于其表面復(fù)雜的氧化層的形成,和其他污染物的存在,形成大量的表面態(tài),造成半導(dǎo)體激光器腔面非輻射復(fù)合中心的形成,影響半導(dǎo)體激光器器件特性。研究表明,清除掉表面吸附的氧,表面殘留和污染并進行表面鈍化,可以極大降低表面復(fù)合中心的存在,從而提高半導(dǎo)體激光器的輸出性能與壽命。
在現(xiàn)有半導(dǎo)體激光器器件制備工藝中,通常會存在Bar條解理面存在被氧化、表面殘留物和表面污染的問題,造成這個問題的主要原因是在進行解理外延片時所處的真空環(huán)境較差,從而造成半導(dǎo)體激光器的腔面損傷閾值低,而半導(dǎo)體激光器的腔面損傷閾值是影響半導(dǎo)體激光器輸出功率和壽命的重要影響因素,因此,對半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面進行有效的工藝處理可有效提高半導(dǎo)體激光器的激光輸出功率,提高半導(dǎo)體激光器的壽命和器件性能的穩(wěn)定性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體激光器材料鈍化方法,這種方法提出一種對半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面進行有效處理的裝置,這種裝置包括離子束轟擊清洗處理部分和原子層沉積鍍膜部分,并且這兩部分均可以提供較好的真空環(huán)境,所述本發(fā)明所提出方法在將半導(dǎo)體激光器外延片進行解理獲得Bar條后,在半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面處理裝置中對Bar條端面(即半導(dǎo)體激光器諧振腔前面)進行離子轟擊達到對端面氧化物、表面殘留物和其他污染進行清洗,處理環(huán)境處于真空環(huán)境,該處理方法降低了半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面材料的表面態(tài)密度和非輻射復(fù)合中心,然后保持在真空環(huán)境中采用原子層沉積設(shè)備(ALD)對半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面沉積1nm~10nm的鈍化層,實現(xiàn)半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面材料與外界環(huán)境隔絕減少氧和碳的污染,達到對半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面保護的目的。通過對半導(dǎo)體激光器諧振腔腔面進行工藝處理,可提高半導(dǎo)體激光器的COD水平,進而提高半導(dǎo)體激光器器件的輸出功率、器件的壽命和器件性能的穩(wěn)定性。
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