[發明專利]薄膜體聲波諧振器以及制造薄膜體聲波諧振器的方法

在審

• 申請號: 201810027856.6
• 申請日: 2018-01-11
• 公開（公告）號: CN108574468A
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 李泰京;孫晉淑;金成善;慶濟弘;李華善;申蘭姬
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 汪喆;包國菊

1.一種薄膜體聲波諧振器，包括：

第一電極，設置在基板上；

壓電體，設置在所述第一電極上并包括添加有摻雜劑的AlN；以及

第二電極，設置在所述壓電體上并與所述第一電極相對，使得所述壓電體介于所述第二電極和所述第一電極之間，

其中，所述摻雜劑包括0.1原子％至24原子％的Ta和0.1原子％至23原子％的Nb中的任意一者。

2.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其中，所述壓電體中的Ta和Nb中的任意一者的重量百分含量小于所述壓電體中的Al的重量百分含量。

3.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其中，

在所述摻雜劑包括Ta的情況下，所述壓電體包括AlN和AlTaN，或者

在所述摻雜劑包括Nb的情況下，所述壓電體包括AlN和AlNbN。

4.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其中，所述壓電體不包括TaN和NbN中的任意一者。

5.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其中，所述第一電極和所述第二電極中的任意一者包括導電金屬和添加的元素，其中所述添加的元素包括Ta和Nb中的任意一者。

6.根據權利要求5所述的薄膜體聲波諧振器，其中，所述添加的元素與所述摻雜劑相同。

7.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其中，所述第一電極和所述第二電極中的任意一者包括導電金屬和添加的元素，其中所述添加的元素包括量為0.1原子％至30原子％的Ta和量為0.1原子％至30原子％的Nb中的任意一者。

8.一種制造薄膜體聲波諧振器的方法，包括：

在基板上形成第一電極；

通過在氮氣氣氛下濺射單個靶而在所述第一電極上形成壓電體，所述單個靶包括含有0.1原子％至24原子％的Ta的AlTa和含有0.1原子％至23原子％的Nb的AlNb中的任意一者；以及

在所述壓電體上形成與所述第一電極相對的第二電極，使得所述壓電體介于所述第二電極和所述第一電極之間。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，包括在所述單個靶中的Ta和Nb中的任意一者的重量百分含量小于包括在所述單個靶中的Al的重量百分含量。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，

在所述單個靶包括AlTa的情況下，所述壓電體包括AlN和AlTaN，或者

在所述單個靶包括AlNb的情況下，所述壓電體包括AlN和AlNbN。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述壓電體不包括TaN和NbN中的任意一者。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，

在所述第一電極的形成中，所述第一電極包括導電金屬和添加的元素，所述添加的元素包括Ta和Nb中的任意一者，或者

在所述第二電極的形成中，所述第二電極包括所述導電金屬和所述添加的元素，所述添加的元素包括Ta和Nb中的任意一者。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，

在所述第一電極的形成中，在所述單個靶包括AlTa的情況下所述第一電極包括Ta，或在所述單個靶包括AlNb的情況下所述第一電極包括Nb，或者

在所述第二電極的形成中，在所述單個靶包括AlTa的情況下所述第二電極包括Ta，或在所述單個靶包括AlNb的情況下所述第二電極包括Nb。

14.根據權利要求8所述的方法，其中，

在所述第一電極的形成中，所述第一電極包括導電金屬和添加的元素，所述添加的元素包括量為0.1原子％至30原子％的Ta和量為0.1原子％至30原子％的Nb中的任意一者，或者

在所述第二電極的形成中，所述第二電極包括所述導電金屬和所述添加的元素，所述添加的元素包括量為0.1％原子至30原子％的Ta和量為0.1％原子至30原子％的Nb中的任意一者。