[發(fā)明專利]腔式黑體輻射源以及腔式黑體輻射源的制備方法

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• 申請日: 2018-01-11
• 公開（公告）號: CN110031117A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏洋;王廣;范守善
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: G01J5/52
• 分類號: G01J5/52;G01J5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種腔式黑體輻射源，該腔式黑體輻射源包括一黑體輻射腔，該黑體輻射腔具有一內(nèi)表面，其特征在于，所述黑體輻射腔的內(nèi)表面設(shè)置有一層黑漆，在所述黑漆的表面設(shè)置有碳納米管層狀結(jié)構(gòu)，該碳納米管層狀結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管，且該碳納米管層狀結(jié)構(gòu)形成有多個微孔。

2.如權(quán)利要求1所述的腔式黑體輻射源，其特征在于，所述碳納米管層狀結(jié)構(gòu)包括碳納米管拉膜、碳納米管碾壓膜或碳納米管絮化膜。

3.如權(quán)利要求2所述的腔式黑體輻射源，其特征在于，所述碳納米管拉膜包括多個碳納米管，所述多個碳納米管沿同一方向擇優(yōu)取向排列。

4.如權(quán)利要求2所述的腔式黑體輻射源，其特征在于，所述碳納米管碾壓膜包括多個碳納米管，所述多個碳納米管沿同一方向或不同方向擇優(yōu)取向排列。

5.如權(quán)利要求2所述的腔式黑體輻射源，其特征在于，所述碳納米管絮化膜包括多個碳納米管，所述多個碳納米管之間通過范德華力相互吸引、纏繞，形成網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的腔式黑體輻射源，其特征在于，所述黑漆為Pyromark 1200黑漆或Nextel Velvet 811-21黑漆。

7.如權(quán)利要求1所述的腔式黑體輻射源，其特征在于，所述腔式黑體輻射源包括一加熱元件，該加熱元件包括一碳納米管結(jié)構(gòu)及間隔設(shè)置在該碳納米管結(jié)構(gòu)表面的第一電極和第二電極，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包裹或纏繞在所述黑體輻射腔的外表面。

8.一種腔式黑體輻射源的制備方法，其包括以下步驟：

S21，提供一黑體輻射腔，該黑體輻射腔具有一內(nèi)表面，在該內(nèi)表面涂覆一層黑漆；

S22，提供一支撐體，將所述碳納米管層狀結(jié)構(gòu)纏繞在所述支撐體表面形成碳納米管管狀結(jié)構(gòu)；

S23，將所述碳納米管管狀結(jié)構(gòu)插入所述黑體輻射腔內(nèi)，使所述碳納米管層狀結(jié)構(gòu)與所述黑體輻射腔的內(nèi)表面緊密結(jié)合，并去除所述支撐體。

9.如權(quán)利要求8所述的腔式黑體輻射源的制備方法，其特征在于，所述步驟S22的具體方法為：提供一薄膜，在該薄膜的表面形成碳納米管層狀結(jié)構(gòu)，將該薄膜卷成一筒狀結(jié)構(gòu)，且形成有碳納米管層狀結(jié)構(gòu)的一面朝外形成碳納米管管狀結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求8所述的腔式黑體輻射源的制備方法，其特征在于，所述步驟S22的具體方法為：提供一圓柱形支撐體，將所述碳納米管層狀結(jié)構(gòu)纏繞在所述支撐體表面形成碳納米管管狀結(jié)構(gòu)。