[發明專利]一種基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池

在審

• 申請號: 201810027467.3
• 申請日: 2018-01-11
• 公開（公告）號: CN108054223A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 陳達明;高紀凡;劉成法;陳奕峰;王子港;張學玲;楊陽
• 申請（專利權）人: 天合光能股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0288
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務所 33233
• 代理人: 郭小麗

1.一種基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，包括：

P型硅基體，該P型硅基體的背表面具有金屬接觸區域和非金屬接觸區域；

隧穿氧化層，設置于所述P型硅基體背表面的非金屬接觸區域上；

局域背場，設置于所述P型硅基體背表面的金屬接觸區域上；

多晶硅薄膜層，設置于所述隧穿氧化層上；

共晶層，設置于局域背場上；

介質膜鈍化層，設置在所述多晶硅薄膜層以及非金屬接觸區域上；

金屬正電極，設置在局域背場上；

金屬負電極，設置在多晶硅薄膜層上。

2.如權利要求1所述的基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，所述隧穿氧化層通過熱氧化或濕化學氧化設置于P型硅基體背表面的非金屬接觸區域上。

3.如權利要求1或2所述的基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，所述隧穿氧化層為二氧化硅薄膜。

4.如權利要求3所述的基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的厚度為0.1～10nm。

5.如權利要求1所述的基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，所述多晶硅薄膜層通過低壓化學氣相沉積或等離子體化學氣相沉積的方式沉積于隧穿氧化層上，所述多晶硅薄膜層的厚度為1～1000nm。

6.如權利要求1所述的基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，所述P型硅基體為P型單晶硅或P型多晶硅。

7.如權利要求1所述的基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，所述局域背場為局域鋁背場或局域硼背場。

8.如權利要求1所述的基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，還包括設置在所述P型硅基體前表面的前表面結構，所述前表面結構包括：

前表面減反射絨面結構，設置在所述P型硅基體前表面上；

前表面場，設置在所述前表面減反射絨面層上；

前表面減反射膜，設置在所述前表面場上。

9.如權利要求8所述的基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，所述前表面減反射絨面結構為金字塔絨面結構或腐蝕坑絨面結構。

10.如權利要求8所述的基于鈍化接觸技術的全背電極太陽能電池，其特征在于，所述前表面減反射膜為氮化硅薄膜。