[發明專利]高電子移動率晶體管有效
| 申請號： | 201810026948.2 | 申請日： | 2018-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN110034171B | 公開（公告）日： | 2022-11-22 |
| 發明（設計）人： | 林鑫成;林信志;林永豪 | 申請（專利權）人： | 世界先進積體電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 賈磊;郭曉宇 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 移動 晶體管 | ||
1.一種高電子移動率晶體管，其特征在于，包括：
一緩沖層，位于一基板上；
一臨界電壓調整層，位于該緩沖層上；
一通道區，位于該緩沖層中，鄰近該緩沖層與該臨界電壓調整層的一介面；
一能帶調整層，位于該臨界電壓調整層上；
一第一增強層，順應性地覆蓋于該臨界電壓調整層及該能帶調整層上；
一柵極電極，位于該第一增強層上；及
一源極/漏極電極，分別位于該柵極電極的兩相對側，穿過該臨界電壓調整層及該第一增強層，設于該緩沖層上；
其中該臨界電壓調整層與該第一增強層為三五族半導體，以及其中該第一增強層分隔該柵極電極和該能帶調整層。
2.如權利要求1所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，該臨界電壓調整層與該第一增強層各自包括AlxGa1-xN，其中0x1。
3.如權利要求2所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，該臨界電壓調整層的Al摩爾濃度小于該第一增強層的Al摩爾濃度。
4.如權利要求2所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，該臨界電壓調整層的Al摩爾濃度介于0.05M至0.4M，該第一增強層的Al摩爾濃度介于0.05M至0.4M。
5.如權利要求1所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，該臨界電壓調整層的厚度小于該第一增強層的厚度。
6.如權利要求1所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，該臨界電壓調整層的厚度介于1nm至5nm，該第一增強層的厚度介于15nm至25nm。
7.如權利要求1所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，更包括：
一第二增強層，順應性地覆蓋于該第一增強層上。
8.如權利要求7所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，該第二增強層為三五族半導體。
9.如權利要求1所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，該能帶調整層為P型摻雜三五族半導體。
10.如權利要求1所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，該能帶調整層包括P型摻雜的GaN、AlGaN、AlN、GaAs、AlGaAs、InP、InAlAs、或InGaAs。
11.如權利要求1所述的高電子移動率晶體管，其特征在于，該能帶調整層的P型摻雜濃度介于1e17/cm3至1e20/cm3之間。
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