[發明專利]一種增強QFN封裝焊接效果的方法及QFN封裝

在審

• 申請號: 201810026643.1
• 申請日: 2018-01-11
• 公開（公告）號: CN108257878A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 于浩
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/488
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 張亮

本發明提供了一種增強QFN封裝焊接效果的方法及QFN封裝，在QFN封裝底部形成一個內縮式的結構層，最底部比正常封裝尺寸稍小，然后在最底部結構層和次底層形成一個高度差，形成爬錫的通道，焊接時，除了最底部結構層有錫焊接住之外，錫還可以爬升到次底層和次底層的側面，額外增加焊接面積和錫的含量，增強QFN封裝的零件焊接的質量。本發明解決了因QFN封裝類的零件由于引腳全部在底部引起的焊接不良的問題，保證了QFN封裝零件的焊接的質量和可靠性，從而保證了產品的穩定性和安全性。

技術領域

本發明涉及服務器主板的技術領域，具體涉及一種增強QFN封裝焊接效果的方法及QFN封裝。

背景技術

隨著個人電腦的普及、各種數據云的發展，服務器和個人電腦的應用范圍越來越多廣。這樣服務器與個人電腦的主板越來越多，使用的IC類零件越來越多，由于主板空間有限，常規帶引腳封裝的IC越來越少，現在基本主流IC類零件都是使用QFN(Quad Flat No-lead Package，方形扁平無引腳封裝)的無引腳的封裝。但在實際應用時，QFN封裝的IC類零件由于引腳在背面，焊接的時候由于只有平面的空間，且被IC類零件本體壓縮，焊接的效果很差，現有技術中，制程技術一般只能保證QFN封裝的IC類零件背面的焊接面積覆蓋率達到50％左右，故焊接質量很一般，會導致IC類芯片工作時不夠穩定。

發明內容

基于上述問題，本發明提出了一種增強QFN封裝焊接效果的方法及QFN封裝，通過底部內縮式結構增強QFN封裝焊接效果。

本發明提供如下技術方案：

一方面，本發明提供了一種增強QFN封裝焊接效果的方法，包括：

步驟1，在QFN封裝底部增加內縮結構層，最底部內縮結構層比正常封裝尺寸小；步驟2，在最底部內縮結構層與次底層形成一個高度差，引腳從所述最底部內縮結構層延續至次底層及次底層側面；步驟3，進行焊接，在最底部內縮結構層錫焊接，錫爬升至次底層以及次底層的側面，額外增加焊接的面積。

其中，引腳從所述最底部內縮結構層延續至次底層及次底層側面具體為引腳從所述最底部內縮結構層延續至次底層及次底層側面，形成爬錫通道。

其中，所述引腳數量大于或等于1。

另外，本發明還提供了一種增強QFN焊接效果的封裝；

所述增強QFN焊接效果的封裝底部有內縮結構層，最底部內縮結構層比正常封裝尺寸小；所述最底部內縮結構層與次底層形成有高度差，引腳從所述最底部內縮結構層延續至次底層及次底層側面；焊接時，在最底部內縮結構層錫焊接，錫爬升至次底層以及次底層的側面，額外增加焊接的面積。

其中，引腳從所述最底部內縮結構層延續至次底層及次底層側面具體為引腳從所述最底部內縮結構層延續至次底層及次底層側面，形成爬錫通道。

其中，所述引腳數量大于或等于1。

本發明提供了一種增強QFN封裝焊接效果的方法及QFN封裝，在QFN封裝底部形成一個內縮式的結構層，最底部比正常封裝尺寸稍小，然后在最底部結構層和次底層形成一個高度差，形成爬錫的通道，焊接時，除了最底部結構層有錫焊接住之外，錫還可以爬升到次底層和次底層的側面，額外增加焊接面積和錫的含量，增強QFN封裝的零件焊接的質量。本發明解決了因QFN封裝類的零件由于引腳全部在底部引起的焊接不良的問題，保證了QFN封裝零件的焊接的質量和可靠性，從而保證了產品的穩定性和安全性。

附圖說明

圖1是現有技術的QFN正背面的立體圖；

圖2是本發明的QFN正背面的立體圖。

具體實施方式