[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810026243.0
• 申請(qǐng)日: 2015-02-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108054202B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸陽(yáng);黃必亮;周遜偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杰華特微電子(杭州)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336
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• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成體區(qū)；

在所述體區(qū)內(nèi)形成漂移區(qū)，所述漂移區(qū)的摻雜類型與所述體區(qū)的摻雜類型相反；

在所述體區(qū)內(nèi)形成溝道區(qū)，所述溝道區(qū)部分向所述漂移區(qū)所在的方向延伸，形成至少一個(gè)溝道延伸區(qū)，所述至少一個(gè)溝道延伸區(qū)與所述漂移區(qū)之間形成交叉指狀分布，所述溝道區(qū)的摻雜類型與所述體區(qū)的摻雜類型相同；

在所述漂移區(qū)內(nèi)形成隔離區(qū)，所述至少一個(gè)溝道延伸區(qū)的端部位于所述隔離區(qū)的下方；

在所述半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的溝道區(qū)內(nèi)形成源區(qū)，在所述漂移區(qū)內(nèi)形成漏區(qū)，所述漏區(qū)位于所述隔離區(qū)遠(yuǎn)離所述溝道區(qū)的一側(cè)；

當(dāng)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為P型LDMOS時(shí)，所述體區(qū)的摻雜類型和溝道區(qū)的摻雜類型均為N型，所述漂移區(qū)的摻雜類型、源區(qū)的摻雜類型以及漏區(qū)的摻雜類型均為P型；當(dāng)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為N型LDMOS時(shí)，所述體區(qū)的摻雜類型和溝道區(qū)的摻雜類型均為P型，所述漂移區(qū)的摻雜類型、源區(qū)的摻雜類型以及漏區(qū)的摻雜類型均為N型；

所述溝道區(qū)的注入濃度大于漂移區(qū)的注入濃度，所述溝道區(qū)的注入濃度和漂移區(qū)的注入濃度均為10¹⁷cm^-3量級(jí)；

所述至少一個(gè)溝道延伸區(qū)與所述漂移區(qū)之間具有設(shè)定距離，該設(shè)定距離小于漂移區(qū)和體區(qū)之間的縱向PN結(jié)沿橫向的耗盡距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述至少一個(gè)溝道延伸區(qū)的形成過(guò)程為：在半導(dǎo)體襯底表面形成溝道區(qū)掩膜層，所述溝道區(qū)掩膜層上具有至少一個(gè)向所述漂移區(qū)所在的方向延伸的溝道區(qū)注入窗口，以所述溝道區(qū)掩膜層為掩膜進(jìn)行注入，在至少一個(gè)溝道區(qū)注入窗口所對(duì)應(yīng)的體區(qū)內(nèi)形成溝道延伸區(qū)。

3.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

體區(qū)，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

漂移區(qū)，位于所述體區(qū)內(nèi)，所述漂移區(qū)的摻雜類型與所述體區(qū)的摻雜類型相反；

溝道區(qū)，位于所述體區(qū)內(nèi)，所述溝道區(qū)部分向所述漂移區(qū)所在的方向延伸，形成至少一個(gè)溝道延伸區(qū)，所述至少一個(gè)溝道延伸區(qū)與所述漂移區(qū)之間形成交叉指狀分布，所述溝道區(qū)的摻雜類型與所述體區(qū)的摻雜類型相同；

隔離區(qū)，位于所述漂移區(qū)內(nèi)，至少一個(gè)溝道延伸區(qū)的端部位于所述隔離區(qū)的下方；

柵極結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體襯底的表面；

源區(qū)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的溝道區(qū)內(nèi)；

漏區(qū)，位于所述漂移區(qū)內(nèi)且位于所述隔離區(qū)遠(yuǎn)離所述溝道區(qū)的一側(cè)；

所述至少一個(gè)溝道延伸區(qū)與所述漂移區(qū)之間具有設(shè)定距離，該設(shè)定距離小于漂移區(qū)和體區(qū)之間的縱向PN結(jié)沿橫向的耗盡距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為P型LDMOS時(shí)，所述體區(qū)的摻雜類型和溝道區(qū)的摻雜類型均為N型，所述漂移區(qū)的摻雜類型、源區(qū)的摻雜類型以及漏區(qū)的摻雜類型均為P型；當(dāng)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為N型LDMOS時(shí)，所述體區(qū)的摻雜類型和溝道區(qū)的摻雜類型均為P型，所述漂移區(qū)的摻雜類型、源區(qū)的摻雜類型以及漏區(qū)的摻雜類型均為N型。