[發明專利]一次寫入多次讀取的數據存儲器件及系統在審
| 申請號： | 201810023637.0 | 申請日： | 2018-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN110021323A | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發明（設計）人： | 左正笏 | 申請（專利權）人： | 中電海康集團有限公司 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 趙囡囡 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲單元 一次寫入多次讀取 數據存儲器件 單向器 存儲數據 極性相反 技術采用 硬擊穿 晶體管 | ||
1.一種一次寫入多次讀取的數據存儲器件，其特征在于，包括：
存儲單元，用于存儲數據；
單向器，與所述存儲單元串聯連接，用于允許第一極性電信號通過所述存儲單元，不允許第二極性電信號通過所述存儲單元，其中，所述第一極性電信號與所述第二極性電信號極性相反；
晶體管，與所述存儲單元以及所述單向器串聯連接，用于提供所述第一極性電信號以及所述第二極性電信號。
2.根據權利要求1所述的數據存儲器件，其特征在于，所述單向器為二極管。
3.根據權利要求2所述的數據存儲器件，其特征在于，所述二極管的陽極與所述晶體管的源極相連接，所述二極管的陰極與所述存儲單元相連接。
4.根據權利要求2所述的數據存儲器件，其特征在于，所述二極管的陽極與所述存儲單元相連接，所述二極管的陰極與所述晶體管的源極相連接。
5.根據權利要求2所述的數據存儲器件，其特征在于，所述存儲單元的第一端與所述二極管的陽極相連接，所述存儲單元的第二端與所述晶體管的源極相連接。
6.根據權利要求2所述的數據存儲器件，其特征在于，所述存儲單元的第一端與所述二極管的陰極相連接，所述存儲單元的第二端與所述晶體管的源極相連接。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的數據存儲器件，其特征在于，所述存儲單元至少包括以下任意一種：
電阻式存儲單元；
磁電阻存儲單元；
鐵電式存儲單元。
8.根據權利要求1至6中任一項所述的數據存儲器件，其特征在于，所述存儲單元為雙極性電阻式存儲單元或自旋扭矩轉移磁性隧道結。
9.一種一次寫入多次讀取的數據存儲系統，其特征在于，所述數據存儲系統具有多層結構，其中，所述多層結構中的每層包括至少一個權利要求1至8中任一項所述的數據存儲器件。
10.根據權利要求9所述的數據存儲系統，其特征在于，所述數據存儲系統還包括：
第一字線，連接到每層中的所述晶體管的柵極；
第一位線，連接到第一層中的所述晶體管的漏極，其中，所述多層結構包括所述第一層；
第二位線，連接到所述第一層中的所述單向器。
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