[發(fā)明專利]三電極場畸變氣體開關(guān)的模型構(gòu)建方法和導(dǎo)通過程模擬方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810022759.8
• 申請日: 2018-01-10
• 公開（公告）號: CN108229038B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈偉;郭帆;陳志強(qiáng);湯俊萍;李俊娜;楊天;陳維青;曾江濤;邱愛慈
• 申請（專利權(quán)）人: 西北核技術(shù)研究所
• 主分類號: G06F30/367
• 分類號: G06F30/367
• 代理公司: 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 楊引雪

1.三電極場畸變氣體開關(guān)的模型構(gòu)建方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1)、將三電極場畸變氣體開關(guān)等效為由兩個(gè)具有相同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的開關(guān)結(jié)構(gòu)回路串聯(lián)構(gòu)成的開關(guān)模型，利用電路仿真軟件搭建所述開關(guān)模型；等效的兩個(gè)開關(guān)結(jié)構(gòu)回路通過各自的壓控開關(guān)觸發(fā)方式與時(shí)刻上的關(guān)聯(lián)而相互影響；

所述開關(guān)結(jié)構(gòu)回路包括結(jié)構(gòu)電容Cp、絕緣電阻Rins、壓控開關(guān)、兩個(gè)獨(dú)立間隙導(dǎo)通后火花通道的電阻Rs和電感Ls；壓控開關(guān)、電阻Rs和電感Ls串聯(lián)后同時(shí)與結(jié)構(gòu)電容Cp和絕緣電阻Rins并聯(lián)；利用一個(gè)單元電容RC充電回路結(jié)合間隙結(jié)構(gòu)回路中壓控開關(guān)設(shè)定間隙的觸發(fā)延時(shí)、貫通延時(shí)及抖動(dòng)；

步驟2)、設(shè)定所述開關(guān)模型導(dǎo)通過程控制回路參數(shù)，包括：

(1)設(shè)定所述開關(guān)模型的導(dǎo)通條件；

(2)設(shè)定所述開關(guān)模型的其中一個(gè)間隙的觸發(fā)延時(shí)及其抖動(dòng)；

(3)設(shè)定所述開關(guān)模型的另一個(gè)間隙的貫通延時(shí)及其抖動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三電極場畸變氣體開關(guān)的模型構(gòu)建方法，其特征在于：所述步驟1)中采用的電路仿真軟件為Pspice、Matlab或Multisim。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三電極場畸變氣體開關(guān)的模型構(gòu)建方法，其特征在于：所述步驟2)中，開關(guān)模型的導(dǎo)通條件為表征開關(guān)結(jié)構(gòu)參數(shù)的所述開關(guān)結(jié)構(gòu)回路的外接端口端口電壓的絕對值與其所對應(yīng)單個(gè)間隙理論靜態(tài)擊穿電壓的比值為某一設(shè)定值；或者，開關(guān)模型的導(dǎo)通條件為表征開關(guān)結(jié)構(gòu)參數(shù)的所述開關(guān)結(jié)構(gòu)回路的外接端口端口電壓的絕對值所對應(yīng)的單個(gè)間隙的擊穿時(shí)刻為某一設(shè)定值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三電極場畸變氣體開關(guān)的模型構(gòu)建方法，其特征在于：所述步驟2)中，設(shè)定所述開關(guān)模型的其中一個(gè)間隙的觸發(fā)延時(shí)及其抖動(dòng)的具體方法為：利用兩個(gè)可控恒流源中間串一個(gè)單元電容RC充電回路的電路形式，模擬開關(guān)的間隙觸發(fā)延時(shí)；整個(gè)回路以電容充電時(shí)間等效開關(guān)的間隙觸發(fā)延時(shí)；將RC充電回路中的電容設(shè)為容值具有容差的可變器件，通過容值導(dǎo)致的充電時(shí)間的變化表征開關(guān)間隙觸發(fā)延時(shí)的抖動(dòng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三電極場畸變氣體開關(guān)的模型構(gòu)建方法，其特征在于：所述步驟2)中，設(shè)定所示開關(guān)模型的另一個(gè)間隙的貫通延時(shí)及其抖動(dòng)的具體方法為：利用一個(gè)單元電容RC充電回路與間隙結(jié)構(gòu)回路中壓控開關(guān)的控制電壓值相配合，實(shí)現(xiàn)間隙貫通延時(shí)及其抖動(dòng)的設(shè)定，其中，通過設(shè)定開關(guān)結(jié)構(gòu)回路中的開關(guān)控制端電壓在導(dǎo)通電壓與關(guān)斷電壓之間的時(shí)間實(shí)現(xiàn)間隙貫通延時(shí)的設(shè)定，通過將RC回路中電容設(shè)定為具有容差的可變器件，實(shí)現(xiàn)貫通延時(shí)抖動(dòng)的設(shè)定。

6.三電極場畸變氣體開關(guān)的導(dǎo)通過程模擬方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟A、利用權(quán)利要求1-5任一所述的方法構(gòu)建三電極場畸變氣體開關(guān)的開關(guān)模型；

步驟B、基于所述開關(guān)模型模擬開關(guān)導(dǎo)通過程，獲取模擬結(jié)果。