[發(fā)明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810022624.1
• 申請日: 2018-01-10
• 公開（公告）號: CN110021560A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設計）人: 夏雪;劉軼群
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路新技術研發(fā)(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種半導體器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成偽柵極結構、以及位于所述偽柵極結構側壁的第一側墻；在基底上形成介質層，所述介質層覆蓋所述第一側墻的側壁；去除部分偽柵極結構形成第一偽柵極結構，在介質層內形成第一開口，所述第一開口底部表面距離介質層頂部表面的距離為第一距離；形成第一開口后，去除第一開口側壁暴露出的第一側墻以形成第一修正側墻，并且在介質層內形成第二開口，第二開口暴露出第一修正側墻頂部表面；形成第二開口后，去除第一偽柵極結構，在介質層內形成柵開口；形成柵開口后，在所述柵開口內形成柵極結構。所述方法提高了半導體器件的性能。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種半導體器件及其形成方法。

背景技術

隨著半導體制造技術的飛速發(fā)展，半導體器件朝著更高的元件密度，以及更高的集成度的方向發(fā)展。器件作為最基本的半導體器件，目前正被廣泛應用，傳統(tǒng)的平面器件對溝道電流的控制能力變弱，產(chǎn)生短溝道效應而導致漏電流，最終影響半導體器件的電學性能。

為了克服器件的短溝道效應，抑制漏電流，現(xiàn)有技術提出了鰭式場效應晶體管(Fin FET)，鰭式場效應晶體管是一種常見的多柵器件，鰭式場效應晶體管的結構包括：位于半導體襯底表面的鰭部和隔離層，所述隔離層覆蓋部分所述鰭部的側壁，且隔離層表面低于鰭部頂部；位于隔離層表面，以及鰭部的頂部和側壁表面的柵極結構；位于所述柵極結構兩側的鰭部內的源區(qū)和漏區(qū)。

然而，現(xiàn)有技術形成的半導體器件的性能較差。

發(fā)明內容

本發(fā)明解決的技術問題是提供一種半導體器件及其形成方法，以提高半導體器件的性能。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種半導體器件的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成偽柵極結構、以及位于所述偽柵極結構側壁的第一側墻；在基底上形成介質層，所述介質層覆蓋所述第一側墻的側壁；去除部分偽柵極結構形成第一偽柵極結構，在介質層內形成第一開口，所述第一開口底部表面距離介質層頂部表面的距離為第一距離；形成第一開口后，去除第一開口側壁暴露出的第一側墻以形成第一修正側墻，并且在介質層內形成第二開口，第二開口暴露出第一修正側墻頂部表面；形成第二開口后，去除第一偽柵極結構，在介質層內形成柵開口；形成柵開口后，在所述柵開口內形成柵極結構。

可選的，所述第二開口形成步驟包括：形成第一開口后，對所述第一開口暴露出的第一側墻進行改性處理，形成第一改性層；刻蝕去除所述第一改性層，形成第二開口。

可選的，所述改性處理工藝包括氧化工藝。

可選的，所述氧化工藝包括等離子體氧化工藝。

可選的，刻蝕去除所述第一改性層的工藝為各向同性的濕法刻蝕工藝。

可選的，所述濕法刻蝕工藝的參數(shù)包括：采用的刻蝕液為氫氟酸溶液，所述氫氟酸溶液的濃度為0.1％～1％。

可選的，所述第一側墻的材料包括：碳氮氧化硅、碳氧化硅或碳氮化硅。

可選的，所述第一側墻的厚度為1nm～5nm。

可選的，所述基底頂部表面距離介質層頂部表面的距離為第二距離，所述第一距離為第二距離的四分之一到三分之一。

可選的，所述第一距離為10nm～50nm。

可選的，還包括：在所述第一側墻側壁表面形成第二側墻，所述介質層覆蓋所述第二側墻側壁。

可選的，所述的第二側墻的材料與第一側墻不同；所述第二側墻的材料包括：氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

可選的，所述的第二側墻的材料與第一側墻的材料相同。

可選的，形成第二開口方法還包括：形成第一開口后，去除部分第二側墻形成第二修正側墻，所述第二修正側墻的頂部低于介質層表面。