[發明專利]OLED單元及其制造方法、顯示面板、顯示裝置在審
| 申請號： | 201810022621.8 | 申請日： | 2018-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN108054190A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 唐國強;徐映嵩 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | oled 單元 及其 制造 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種OLED單元，其特征在于，所述OLED單元包括：
設置在襯底基板上的第一電極層；
設置在所述第一電極層遠離所述襯底基板一側的近紅外發光層，所述近紅外發光層用于發射近紅外光；
設置在所述近紅外發光層遠離所述襯底基板一側的阻隔層，所述阻隔層由導電材料制成；
設置在所述阻隔層遠離所述襯底基板一側的紅光發光層，所述紅光發光層用于發射紅光；
設置在所述紅光發光層遠離所述襯底基板一側的第二電極層，所述第二電極層的極性與所述第一電極層的極性相反。
2.根據權利要求1所述的OLED單元，其特征在于，所述第一電極層為陽極，所述第二電極層為陰極。
3.根據權利要求1或2所述的OLED單元，其特征在于，所述紅光發光層的厚度大于所述近紅外發光層的厚度。
4.根據權利要求1或2所述的OLED單元，其特征在于，所述近紅外發光層在所述襯底基板上的正投影與所述紅光發光層在所述襯底基板上的正投影重合。
5.根據權利要求1或2所述的OLED單元，其特征在于，所述阻隔層由透明導電材料制成。
6.根據權利要求1或2所述的OLED單元，其特征在于，所述近紅外發光層包括：第一空穴傳輸層、近紅外電致發光膜層和第一電子傳輸層；
所述紅光發光層包括：第二空穴傳輸層、紅光電致發光膜層和第二電子傳輸層。
7.一種制造OLED單元的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一襯底基板；
在所述襯底基板上形成第一電極層；
在形成有所述第一電極層的襯底基板上形成近紅外發光層，所述近紅外發光層用于發射近紅外光；
采用導電材料在形成有所述近紅外發光層的襯底基板上形成阻隔層；
在形成有所述阻隔層的襯底基板上形成紅光發光層，所述紅光發光層用于發射紅光；
在形成有所述紅光發光層的襯底基板上形成第二電極層。
8.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求1至6任一所述的OLED單元。
9.根據權利要求8所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括：與所述OLED單元一一對應設置的光電轉換組件，以及設置在所述光電轉換組件四周的擋墻，所述擋墻用于遮擋來自對應OLED單元以外的OLED單元的近紅外光。
10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求8或9所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
