[發明專利]在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的方法及結構在審
| 申請號： | 201810020771.5 | 申請日： | 2018-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN108014915A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 蔡瑾 | 申請（專利權）人： | 上海神悅超導技術發展有限公司 |
| 主分類號： | B03C1/02 | 分類號： | B03C1/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201803 上海市嘉定*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高強 磁場 礦漿 通過 介質 提高 產量 散射 方法 結構 | ||
1.一種在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的方法，其特征在于，該方法為：
利用帶散射孔的送漿管延伸至置于具有背景磁場的聚磁介質中；
利用散射孔將礦漿散射到聚磁介質中；
利用聚磁介質吸附礦漿中的顆粒物；
利用置于聚磁介質外部的導管收集產品。
2.根據權利要求1所述的在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的方法，其特征在于，所述礦漿徑向噴出送漿管，從而形成散射狀噴漿結構。
3.根據權利要求1所述的在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的方法，其特征在于，所述送漿管與聚磁介質共軸分布。
4.一種在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的結構，其特征在于，其包括：
磁場發生元件(2)，用于產生背景磁場；
設置于磁場發生元件中的聚磁介質組件(3)，用于吸附礦漿中的順磁性顆粒物；
其特征在于，還包括：
設置于聚磁介質組件中的送漿管(4)，其設置有若干散射孔；
設置于聚磁介質組件外部的外壁導管(5)。
5.根據權利要求4所述的在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的結構，其特征在于，所述送漿管設置在聚磁介質組件的中心位置。
6.根據權利要求4所述的在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的結構，其特征在于，所述磁場發生元件為電磁元件、超導磁場元件。
7.根據權利要求4所述的在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的結構，其特征在于，所述送漿管為單根。
8.根據權利要求4所述的在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的結構，其特征在于，所述送漿管、外壁導管共軸布置。
9.根據權利要求4所述的在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的結構，其特征在于，所述外壁導管、設置于聚磁介質組件表面的內壁導管共同形成環形出漿間隙。
10.根據權利要求9所述的在高強磁場內礦漿通過聚磁介質時提高產量且呈散射狀的結構，其特征在于，所述環形出漿間隙的截面積大于等于送漿管的截面積。
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