[發明專利]掃描接觸孔斷路缺陷的方法在審
| 申請號: | 201810020521.1 | 申請日: | 2018-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN108288592A | 公開(公告)日: | 2018-07-17 |
| 發明(設計)人: | 許平康;方桂芹;黃仁德 | 申請(專利權)人: | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 韓曉薇 |
| 地址: | 223300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸孔 斷路缺陷 超聲波掃描 判定 掃描 半導體裝置 隔離層 襯底 刻蝕 檢測 改進 | ||
1.一種掃描接觸孔斷路缺陷的方法,其特征在于,包括:
對襯底上的隔離層中刻蝕的接觸孔進行超聲波掃描;以及
根據超聲波掃描的結果,判定是否存在具有斷路缺陷的接觸孔。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:
通過比較對不同接觸孔進行超聲波掃描得到的波形,判定是否存在具有斷路缺陷的接觸孔。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:
通過比較對接觸孔進行超聲波掃描得到的波形與參考波形,判定是否存在具有斷路缺陷的接觸孔,其中,
所述參考波形是預定義的參考波形或者通過對接觸孔進行超聲波掃描得到的所有波形進行平均得到的平均波形。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:
當判定存在具有斷路缺陷的接觸孔時,對機臺進行維護。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于:
當判定不存在具有斷路缺陷的接觸孔時,對隔離層進行鎢化學氣相沉積(WCVD)、鎢化學機械平坦化(WCMP)和接觸孔刻蝕操作,并進行下一次超聲波掃描。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括:
當判定存在具有斷路缺陷的接觸孔時,確定具有斷路缺陷的接觸孔的位置。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于:
通過確定具有斷路缺陷的接觸孔的絕對坐標來確定具有斷路缺陷的接觸孔的位置,其中,
所述絕對坐標指的是具有斷路缺陷的接觸孔相對于晶圓圓心的絕對位置。
8.根據權利要求6所述的方法,其特征在于:
當接觸孔規則排布時,通過確定具有斷路缺陷的接觸孔的相對坐標來確定具有斷路缺陷的接觸孔的位置,其中,
所述相對坐標包括所述具有斷路缺陷的接觸孔在其所在管芯中的多個規則排布的接觸孔中的位置,以及所述具有斷路缺陷的接觸孔所在的管芯的中心相對于晶圓圓心的相對位置。
9.根據權利要求1-3中任意一項所述的方法,其特征在于:
所述超聲波掃描是在氣體成分固定的環境中進行的。
10.根據權利要求6-8中任意一項所述的方法,其特征在于:
基于具有斷路缺陷的接觸孔的位置,對具有斷路缺陷的接觸孔進行物性分析。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





