[發明專利]一種存儲器、存儲系統、主機及數據操作、垃圾回收方法在審
| 申請號: | 201810020423.8 | 申請日: | 2018-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN110018966A | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 吳忠杰 | 申請(專利權)人: | 阿里巴巴集團控股有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 龍洪;栗若木 |
| 地址: | 英屬開曼群島大開*** | 國省代碼: | 開曼群島;KY |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 主機 存儲系統 訪問接口 垃圾回收 數據操作 對象操作 存儲控制單元 處理邏輯 存儲介質 存儲邏輯 管理單元 數據布局 數據中心 應用場景 申請 隔離 保證 | ||
一種存儲器、存儲系統、主機及數據操作、垃圾回收方法,所述存儲系統包括存儲器和主機,所述存儲器包括:管理單元,用于實現與存儲介質相關的處理邏輯;基于對象的訪問接口,供主機通過所述訪問接口對所述存儲器執行對象操作;所述主機包括:存儲控制單元,用于實現與數據布局相關的存儲邏輯,通過所述基于對象的訪問接口執行對象操作。本申請還提供了相應的數據操作和垃圾回收方法,本申請可以達到降低成本,保證性能的一致性,隔離IO資源等效果,適合于在數據中心等應用場景使用。
技術領域
本申請涉及但不限于存儲技術,更具體地,涉及一種存儲器、存儲系統、主機及數據操作、垃圾回收方法。
背景技術
固態硬盤(SSD:Solid State Drives)是用固態電子存儲芯片陣列而制成的硬盤,主要由控制器和閃存(Flash)芯片組成,控制器運行固件(Firmware)實現各種處理邏輯。NVMe SSD是一種標準SSD產品形態,NVMe(Non-volatile Memory Express)是一種為非易失介質定義的接口技術。Flash分NAND Flash和NOR Flash,NOR Flash的存儲內容以編碼為主,NAND Flash主要功能是存儲資料。在大容量存儲領域,SSD一般選擇NAND Flash。NANDFlash以物理頁(page)為單位寫入,以擦除塊(erase Block)為單位擦除。
NVMe SSD對外體現邏輯塊設備接口,NVMe SSD內部維護大量的內存數據,以實現復雜的映射操作邏輯,該邏輯稱之為閃存映射表(FTL)。FTL用于將NAND Flash的物理頁地址(PPA:Pphysical Page Address)轉換成存儲系統使用的邏輯區塊地址(LBA,LogicalBlock Address),以與傳統的磁盤接口兼容。所有數據在SSD內部采用追加寫(AppendWrite)的方式在NAND Flash中進行記錄,不能在Page內部實現原地寫(overwrite),因此NVMe SSD內部通過log-structured的方式對數據進行組織。
追加寫帶來了垃圾回收(Garbage Collection)問題,該垃圾回收機制由SSD內部控制器上運行的固件控制,對上層應用透明。另外,Flash具有一定的擦寫次數限制,因此通過內部的磨損平衡(Wear leveling)方式均衡使用壽命,最大化Flash的使用年限。除了上述NVMe SSD要實現的處理邏輯還包括壞塊管理(Bad block mgnr)、命令處理(Commander)、日志管理(Journal)、非易失性內存(NVRAM:Non-Volatile RAM)管理、閃存通道控制器(FCC:Flash Channel Controller)、獨立磁盤冗余陣列(RAIN:Redundant Array ofIndependent NAND)、IO調度(IO Scheduler)、資源分配(Allocator)、磨損均衡、低密度奇偶校驗碼(LDPC:Low Density Parity Check Code)編解碼等等,而與數據布局相關的存儲邏輯包括地址映射和垃圾回收。NVMe SSD的內部邏輯如圖1所示,存儲系統采用LBA的接口方式對SSD進行訪問。
SSD內部的復雜處理邏輯導致其至少存在如下幾個方面的問題:
成本高:SSD內部采用大量內存存放映射表,增加了成本。另外,垃圾回收的前提是要提供空閑區域來拷貝,很多SSD內部有大量的預留存儲空間(OP,Over Provisioning),通常OP在20%以上。OP越大,垃圾回收就會越快,相應寫放大會變小。但OP過大浪費成本。
性能一致性差:由于SSD內部存在復雜的垃圾回收機制,在內部形成了IO背景噪聲,對正常的業務IO流造成影響,導致性能抖動,一致性變差。
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