[發明專利]倒金字塔絨面單晶硅片的制絨添加劑及其應用有效
| 申請號: | 201810018562.7 | 申請日: | 2018-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN107955974B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發明(設計)人: | 楊立功;符黎明 | 申請(專利權)人: | 常州時創能源股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B33/10 | 分類號: | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 213300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金字塔 單晶硅 添加劑 及其 應用 | ||
1.倒金字塔絨面單晶硅片的制絨添加劑,其特征在于,其各組分的質量百分含量為:非離子表面活性劑 0.5%~50%,陽離子表面活性劑 1%~60%,聚乙二醇 2%~10%,有機鹽 1%~20%,余量為水;
所述非離子表面活性劑為含烷基酚聚氧乙烯醚、高碳脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚氧乙烯胺、烷基醇酰胺、乙醇胺、蔗糖酯中的一種或幾種;
所述陽離子表面活性劑為含脂肪胺鹽、乙醇胺鹽、季銨鹽型、咪唑啉、聚乙烯多胺鹽、嗎啉胍類、三嗪類衍生物中的一種或幾種;
所述有機鹽為醋酸鈉、乙酸吡啶鹽、乙醇鈉中的一種或幾種;
所述聚乙二醇的分子量為200~2000。
2.根據權利要求1所述的倒金字塔絨面單晶硅片的制絨添加劑,其特征在于,所述水為去離子水。
3.倒金字塔絨面單晶硅片的制絨液,其特征在于,其含有堿溶液和權利要求1或2所述的倒金字塔絨面單晶硅片的制絨添加劑,所述倒金字塔絨面單晶硅片的制絨添加劑與堿溶液的質量比為0.2~5:100,所述堿溶液為無機堿或有機堿的水溶液。
4.根據權利要求3所述倒金字塔絨面單晶硅片的制絨液,其特征在于,所述無機堿為氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銨中的一種或幾種;所述有機堿為四甲基氫銨、四乙基氫銨中的一種或兩種。
5.倒金字塔絨面單晶硅片的制絨方法,其特征在于,利用權利要求3或4所述的制絨液對單晶硅片進行表面制絨,在單晶硅片表面形成倒金字塔絨面。
6.根據權利要求5所述倒金字塔絨面單晶硅片的制絨方法,其特征在于,其具體步驟包括:
1)配置制絨添加劑:將質量百分比為0.5%~50%的非離子表面活性劑、1%~60%的陽離子表面活性劑、2%~10%的聚乙二醇、1%~20%的有機鹽加入到余量的水中,混合均勻配成制絨添加劑;
2)配置制絨液:將步驟1)制成的制絨添加劑加到堿溶液中,混合均勻配成制絨液;所述制絨添加劑與堿溶液的質量比為0.2~5:100;所述堿溶液為無機堿或有機堿的水溶液;
3)制絨:將單晶硅片浸入步驟2)制得的制絨液中進行表面制絨,制絨溫度為75~90℃,制絨時間為500~1500s,在單晶硅片表面形成倒金字塔絨面。
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