[發(fā)明專利]一種二次外延生長制備氮化鎵系材料的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810018514.8
• 申請日: 2018-01-09
• 公開（公告）號: CN108198747A
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 文于華;劉陽;張梅;田芃;金佳鴻
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南理工學(xué)院
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 岳陽市大正專利事務(wù)所 43103
• 代理人: 皮維華

1.一種二次外延生長制備氮化鎵系材料的方法，其特征在于包括以下步驟：

（1）依次在襯底材料上生長出緩沖層、非故意摻雜的GaN外延層；

（2）在GaN外延層上淀積一層介質(zhì)掩蔽膜，光刻并通過濕法腐蝕方法去除部分掩蔽膜，形成二次外延生長區(qū)域；

（3）將步驟（2）形成的材料進(jìn)行等離子體處理，形成含有5~25%空位缺陷的GaN表層；

（4）二次外延生長出由氮化鎵系二元、三元和四元化合物半導(dǎo)體材料構(gòu)成的同質(zhì)或者異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述等離子體處理為將材料暴露在氬氣或者氮氣的等離子體中，在表面產(chǎn)生物理刻蝕，形成隨機(jī)分布的空位缺陷。