[發明專利]一種抗雙節點翻轉的鎖存器有效
| 申請號： | 201810018508.2 | 申請日： | 2018-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN108270429B | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發明（設計）人： | 劉夢新;劉海南;趙發展;卜建輝;羅家俊;韓鄭生 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H03K19/003 | 分類號： | H03K19/003;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 節點 翻轉 鎖存器 | ||
1.一種抗雙節點翻轉的鎖存器，其特征在于，所述鎖存器包括：
所述鎖存器具有存儲節點A、存儲節點B、存儲節點C、存儲節點D、存儲節點E、存儲節點F；
所述鎖存器還具有：
第一交叉耦合結構，所述第一交叉耦合結構的輸入端接存儲節點B，輸出端接存儲節點A；
第二交叉耦合結構，所述第二交叉耦合結構的輸入端接存儲節點A，輸出端接存儲節點C；
第三交叉耦合結構，所述第三交叉耦合結構的輸入端接存儲節點C，輸出端接存儲節點F；
第四交叉耦合結構，所述第四交叉耦合結構的輸入端接存儲節點F，輸出端接存儲節點E；
第五交叉耦合結構，所述第五交叉耦合結構的輸入端接存儲節點E，輸出端接存儲節點D；
第六交叉耦合結構，所述第六交叉耦合結構的輸入端接存儲節點D，輸出端接存儲節點B；
第七交叉耦合結構，所述第七交叉耦合結構的輸入端接存儲節點F，輸出端接存儲節點B；
第八交叉耦合結構，所述第八交叉耦合結構的輸入端接存儲節點D，輸出端接存儲節點C；
第九交叉耦合結構，所述第九交叉耦合結構的輸入端接存儲節點A，輸出端接存儲節點E；
其中，交叉耦合結構具體的內部構成是由一個PMOS晶體管M1和一個NMOS晶體管M2構成的交叉耦合晶體管結構，M1的柵極和M2的漏極相連接到n1節點，并作為輸入方向；M1的漏極和M2的柵極相連接到n2節點，并作為輸出方向；MI的源極與電源VDD連接，M2的源極與地連接。
2.一種抗雙節點翻轉的鎖存器，其特征在于，所述鎖存器包括：
所述鎖存器具有存儲節點A、存儲節點B、存儲節點C、存儲節點D、存儲節點E、存儲節點F；
所述鎖存器還具有：
第一交叉耦合結構，所述第一交叉耦合結構的輸入端接存儲節點A，輸出端接存儲節點B；
第二交叉耦合結構，所述第二交叉耦合結構的輸入端接存儲節點C，輸出端接存儲節點A；
第三交叉耦合結構，所述第三交叉耦合結構的輸入端接存儲節點F，輸出端接存儲節點C；
第四交叉耦合結構，所述第四交叉耦合結構的輸入端接存儲節點E，輸出端接存儲節點F；
第五交叉耦合結構，所述第五交叉耦合結構的輸入端接存儲節點D，輸出端接存儲節點E；
第六交叉耦合結構，所述第六交叉耦合結構的輸入端接存儲節點B，輸出端接存儲節點D；
第七交叉耦合結構，所述第七交叉耦合結構的輸入端接存儲節點B，輸出端接存儲節點F；
第八交叉耦合結構，所述第八交叉耦合結構的輸入端接存儲節點C，輸出端接存儲節點D；
第九交叉耦合結構，所述第九交叉耦合結構的輸入端接存儲節點E，輸出端接存儲節點A；
其中，交叉耦合結構具體的內部構成是由一個PMOS晶體管M1和一個NMOS晶體管M2構成的交叉耦合晶體管結構，M1的柵極和M2的漏極相連接到n1節點，并作為輸入方向；M1的漏極和M2的柵極相連接到n2節點，并作為輸出方向；MI的源極與電源VDD連接，M2的源極與地連接。
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