[發(fā)明專利]發(fā)光顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810018390.3
• 申請日: 2018-01-09
• 公開（公告）號: CN108573994B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設計）人: 金孝妍;金依瑟;李欣承;尹智煥;黃載熏
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H10K59/35
• 分類號: H10K59/35;H10K59/30;H10K50/80;H10K101/40
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 王東賢;王珍仙

1.一種發(fā)光顯示裝置，包括：

基底，所述基底包括第一像素、第二像素、第三像素和紅外線發(fā)射部分，所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素表示不同的顏色；

在所述基底上的第一電極；

與所述第一電極重疊的第二電極；

在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)射層；以及

在所述第一電極和所述發(fā)射層之間的輔助層，其中：

所述發(fā)射層包括在所述第一像素中的第一發(fā)射層和在所述紅外線發(fā)射部分中的紅外線發(fā)射層，

所述輔助層包括在所述第一像素中的第一輔助層，并且

所述紅外線發(fā)射層和所述第一輔助層包括相同的材料，

所述第一像素、所述紅外線發(fā)射部分、所述第二像素和所述第三像素沿平行于所述基底的平面的第一方向交替地被布置。

2.如權(quán)利要求1中要求保護的所述發(fā)光顯示裝置，其中所述紅外線發(fā)射層和所述第一輔助層被設置在同一層中，并且所述第一發(fā)射層被提供在所述第一輔助層上。

3.如權(quán)利要求1中要求保護的所述發(fā)光顯示裝置，其中，在所述紅外線發(fā)射層和所述第一輔助層中，向第一像素發(fā)射材料或共振輔助層材料摻雜紅外線發(fā)射摻雜劑，并且

其中所述紅外線發(fā)射摻雜劑包括金屬絡合物化合物、供體-受體-供體化合物或鑭系元素化合物中的一種或多種。

4.?如權(quán)利要求3中要求保護的所述發(fā)光顯示裝置，其中所述金屬絡合物化合物包括由化學式1表示的化合物：

化學式1

其中，在化學式1中，

L是N或CR’，其中R’是苯基、甲苯基、二甲苯基、基、甲基、乙基、正丙基或異丙基，

M是Pt、Pd、Cu、Zn、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Ag、Au、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、P、As、Sb、Bi、S、Se、Te、Po、At、鑭系元素或錒系元素，并且

R各自獨立地為Cl、Br、I、At或者包括結(jié)合到吡咯環(huán)的β碳的原子的基團，其中所述結(jié)合到β碳的原子是B、C、N、O、Si、P、S、Cl、Ge、As、Se、Br、In、Sn、Sb、Te、I、Tl、Pb、Bi、Po或At，并且結(jié)合到同一吡咯環(huán)的兩個相鄰的R基與兩個β碳一起可選地形成碳環(huán)基或雜環(huán)基。

5.如權(quán)利要求4中要求保護的所述發(fā)光顯示裝置，其中所述金屬絡合物化合物中包括的金屬包括Pt、Pd、Cu或Zn。

6.如權(quán)利要求1中要求保護的所述發(fā)光顯示裝置，進一步包括：

在所述第一電極和所述第一輔助層之間的第二輔助層；以及

在所述第一電極和所述紅外線發(fā)射層之間的第三輔助層，

其中所述第二輔助層和所述第三輔助層包括相同的材料。

7.如權(quán)利要求6中要求保護的所述發(fā)光顯示裝置，其中所述第二輔助層和所述第三輔助層被設置在同一層中，并且

其中所述第二輔助層和所述第三輔助層包括相同的共振輔助層材料。

8.如權(quán)利要求7中要求保護的所述發(fā)光顯示裝置，其中所述第二輔助層比所述第一輔助層厚。

9.如權(quán)利要求8中要求保護的所述發(fā)光顯示裝置，其中：

所述發(fā)射層進一步包括在所述第二像素中的第二發(fā)射層，

所述輔助層進一步包括在所述第二像素中的第四輔助層、在所述第一像素中的第五輔助層以及在所述紅外線發(fā)射部分中的第六輔助層，并且

所述第四輔助層、所述第五輔助層和所述第六輔助層包括相同的材料，并且其中所述第四輔助層、所述第五輔助層和所述第六輔助層在同一層中。

10.如權(quán)利要求1中要求保護的所述發(fā)光顯示裝置，進一步包括在所述第一發(fā)射層和所述第一輔助層之間的中間層。