[發明專利]半導體器件制造方法和半導體晶片

在審

• 申請號: 201810018187.6
• 申請日: 2018-01-09
• 公開（公告）號: CN108364865A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 義田卓司
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/683;H01L21/331;H01L29/739
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)制備具有頂表面以及與所述頂表面相反的后表面的半導體晶片，在平面圖中，所述頂表面包括器件區域、被布置在所述器件區域的外部以圍繞所述器件區域的虛設區域、以及被布置在所述虛設區域的外部以圍繞所述虛設區域的圖案禁止區域；

(b)在將第一保護帶貼附所述到半導體晶片的所述頂表面之后，在保留所述半導體晶片的邊緣部分的情況下，從所述半導體晶片的所述后表面對形成所述半導體晶片的半導體襯底進行磨削，以使比所述邊緣部分更靠內的所述半導體襯底變薄；

(c)剝離掉所述第一保護帶；以及

(d)在將第二保護帶貼附到所述半導體晶片的所述后表面之后，在平面圖中，從所述半導體晶片的所述頂表面以環形對所述半導體晶片進行切割以去除所述邊緣部分，

其中，所述虛設區域包括所述半導體襯底、形成在所述半導體襯底上的第一導電圖案、以及形成在所述導電圖案上的第一絕緣圖案，

其中，所述第一絕緣圖案的面向所述圖案禁止區域的端表面位于所述第一導電圖案上，

其中，在所述步驟(b)中，在平面圖中，所述邊緣部分的內周端位于所述圖案禁止區域中，

其中，在所述步驟(d)中，在平面圖中，在所述邊緣部分的所述內周端與所述虛設區域之間以環形對所述圖案禁止區域進行切割。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中，當將所述第一導電圖案和所述第一絕緣圖案的堆疊的厚度定義為H、將從以環形切割的區域到所述第一絕緣圖案的面向所述圖案禁止區域的端表面的距離定義為X1、并且將從以環形切割的所述區域到所述第一導電圖案的面向所述圖案禁止區域的端表面的距離定義為X2時，滿足關系H<X2<(X1-X2)。

3.根據權利要求1所述的方法，

其中，當將所述第一導電圖案和所述第一絕緣圖案的堆疊的厚度定義為H1、將從以環形切割的區域到所述第一絕緣圖案的面向所述圖案禁止區域的端表面的距離定義為X1、將從以環形切割的所述區域到所述第一導電圖案的面向所述圖案禁止區域的端表面的距離定義為X2、并且將在所述第一絕緣圖案上的所述第二保護帶的厚度定義為H2時，滿足關系(H1+H2)<X2<(X1-X2)。

4.根據權利要求1所述的方法，

其中，從所述半導體晶片的外周邊到所述第一絕緣圖案的面向所述圖案禁止區域的端表面的第一距離大于從所述半導體晶片的所述外周邊到所述第一導電圖案的面向所述圖案禁止區域的端表面的第二距離。

5.根據權利要求4所述的方法，

其中，在所述第一距離與所述第二距離之間的差是0.4μm及以上。

6.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述第一絕緣圖案是有機樹脂膜。

7.根據權利要求1所述的方法，

其中，所述器件區域包括所述半導體襯底、形成在所述半導體襯底上的與所述第一導電圖案為相同層的第二導電圖案、以及形成在所述第二導電圖案上的與所述第一絕緣圖案為相同層的第二絕緣圖案，以及

其中，所述第二導電圖案的端表面被所述第二絕緣圖案覆蓋。

8.根據權利要求1所述的方法，

其中，在所述步驟(b)中已被磨削后的所述半導體襯底的厚度為60μm至120μm。