[發明專利]電平轉換電路、集成電路芯片和電子設備有效
| 申請號： | 201810018184.2 | 申請日： | 2018-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN108055033B | 公開（公告）日： | 2021-06-11 |
| 發明（設計）人： | 朱仁波;溫帶豪 | 申請（專利權）人： | 上海順久電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185;H03K19/017 |
| 代理公司： | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電平 轉換 電路 集成電路 芯片 電子設備 | ||
1.一種電平轉換電路，其特征在于，包括反相器單元、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述反相器單元包括電源輸入端，用于接收第一電壓；信號輸入端，用于接收邏輯高電平等于所述第一電壓的脈沖信號；同相輸出端，用于輸出與所述脈沖信號相位相同的信號；以及反相輸出端，用于輸出與所述脈沖信號相位相反的信號；
所述第一NMOS管的漏極用于接收第二電壓，柵極與所述同相輸出端連接；所述第二NMOS管的柵極與所述反相輸出端連接，源極接地；所述第一NMOS管的源極和所述第二NMOS管的漏極相連，構成所述電平轉換電路的信號輸出端；
所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述反相器單元中NMOS管的閾值電壓相同，所述第一電壓與所述脈沖信號中邏輯低電平的電壓差值大于所述反相器單元中PMOS管的閾值電壓，所述第一電壓與所述第二電壓的差值大于所述第一NMOS管的閾值電壓；
其中，所述第一電壓大于所述第二電壓；所述電平轉換電路，用于將所述邏輯高電平等于所述第一電壓的脈沖信號轉換為邏輯高電平等于所述第二電壓的脈沖信號。
2.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述反相器單元包括一個CMOS反相器，其中，
所述同相輸出端為所述CMOS反相器的輸入端，所述反相輸出端為所述CMOS反相器的輸出端。
3.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述反相器單元包括依序串接的兩個CMOS反相器，其中，
所述同相輸出端為第二個CMOS反相器的輸出端，所述反相輸出端為第一個CMOS反相器的輸出端。
4.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述第一NMOS管的閾值電壓為0.7V。
5.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述脈沖信號中邏輯低電平的電壓為0V。
6.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述脈沖信號的占空比等于50％。
7.一種集成電路芯片，其特征在于，包括電源管理電路以及如權利要求1-6任一項所述的電平轉換電路，所述電源管理電路用于提供第一電壓和第二電壓。
8.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求7所述的集成電路芯片。
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