[發明專利]發光二極管結構

有效

• 申請號: 201810015565.5
• 申請日: 2014-01-13
• 公開（公告）號: CN107968139B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 李玉柱
• 申請（專利權）人: 新世紀光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/36
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

本發明提供一種發光二極管結構。發光二極管結構包括基板、N型半導體層、發光層以及P型半導體層。N型半導體層配置于基板上。發光層適于發出主要發光波長介于365奈米至490奈米之間的光且配置于N型半導體層上。P型半導體層配置于發光層上，且包括P型氮化鋁鎵層。P型氮化鋁鎵層的厚度占整體P型半導體層的厚度的85％以上。

本申請是申請人于2014年1月13日提交的、申請號為“201410014540.5”的發明名稱為“發光二極管結構”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明是有關于一種半導體結構，且特別是有關于一種發光二極管結構。

背景技術

隨著半導體科技的進步，現今的發光二極管已具備了高亮度的輸出，加上發光二極管具有省電、體積小、低電壓驅動以及不含汞等優點，因此發光二極管已廣泛地應用在顯示器與照明等領域。一般而言，發光二極管采用寬帶隙半導體材料，如氮化鎵(GaN)等材料，來進行制造。然而，當發光二極管的發光層放出近UV光或藍光時，采用氮化鎵所形成的P型半導體層會吸收波長約為365～490奈米左右的光，即會吸收近UV光與藍光，進而影響整體發光二極管的出光效率。

發明內容

本發明提供一種發光二極管結構，其具有較佳的出光效率。

本發明的發光二極管結構，其包括基板、N型半導體層、發光層以及P型半導體層。N型半導體層配置于基板上。發光層適于發出主要發光波長介于365奈米至490奈米之間的光且配置于N型半導體層上。P型半導體層配置于發光層上，且包括P型氮化鋁鎵層。P型氮化鋁鎵層的厚度占整體P型半導體層的厚度的85％以上。

在本發明的一實施例中，上述的P型半導體層為P型氮化鋁鎵層。

在本發明的一實施例中，上述的P型半導體層還包括P型氮化鎵層，配置于P型氮化鋁鎵層上。P型氮化鎵層的厚度占整體P型半導體層的厚度的15％以下。

在本發明的一實施例中，上述的P型氮化鋁鎵層包括第一P型氮化鋁鎵層以及第二P型氮化鋁鎵層。第一P型氮化鋁鎵層中的鋁含量不同于第二P型氮化鋁鎵層中的鋁含量。

在本發明的一實施例中，上述的第一P型氮化鋁鎵層位于第二P型氮化鋁鎵層與發光層之間，且第一P型氮化鋁鎵層中的鋁含量大于第二P型氮化鋁鎵層中的鋁含量。

在本發明的一實施例中，上述的第一P型氮化鋁鎵層的材料為AlxGa1-xN，且x為0.09～0.2。

在本發明的一實施例中，上述的第二P型氮化鋁鎵層的材料為AlyGa1-yN，且y為0.01～0.15。

在本發明的一實施例中，上述的第二P型氮化鋁鎵層的厚度大于第一P型氮化鋁鎵層的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的第一P型氮化鋁鎵層中的P型摻雜濃度大于第二P型氮化鋁鎵層的P型摻雜濃度。

在本發明的一實施例中，上述的P型半導體層還包括P型氮化鋁銦鎵層，配置于P型氮化鋁鎵層與發光層之間。

在本發明的一實施例中，上述的N型半導體層為N型氮化鎵層。

在本發明的一實施例中，上述的發光二極管結構，還包括N型電極以及P型電極。N型電極配置于未被發光層所覆蓋的N型半導體層上，且與N型半導體層電性連接。P型電極配置于P型半導體層上，且與P型半導體層電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的發光二極管結構還包括透明導電層，配置于P型半導體層上。

基于上述，由于本發明的P型氮化鋁鎵層的厚度占整體P型半導體層的厚度的85％以上，因此可以降低P型半導體層吸收發光層所發出的近UV光或藍光。如此一來，本發明的發光二極管結構可具有較佳的出光效率。