[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810014996.X
• 申請(qǐng)日: 2018-01-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108565219A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張紅偉;孟憲宇;吳宗祐;吳孝哲;林宗賢
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高磊;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成柵氧化層；

在所述柵氧化層內(nèi)注入摻雜元素，所述摻雜元素適于提高所述柵氧化層的介電系數(shù)；

注入摻雜元素后，采用激光表面處理工藝對(duì)所述柵氧化層進(jìn)行處理。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述激光表面處理工藝的退火溫度為1405℃～1500℃。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述激光表面處理工藝的退火時(shí)間為10μs～190μs。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述摻雜元素為氮離子、氫離子或碳原子。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，進(jìn)行激光表面處理工藝后所述摻雜元素的濃度與進(jìn)行激光表面處理工藝前所述摻雜元素濃度的比值為98％～99.5％。

6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，采用去耦等離子體工藝注入所述摻雜元素。

7.如權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述激光表面處理工藝與所述注入摻雜元素工藝的時(shí)間間隔為1s～30s。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述柵氧化層的材料為氧化硅或氧化鍺。

9.如權(quán)利要求1或8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，在進(jìn)行所述激光表面處理工藝過(guò)程中，在所述柵氧化層表面形成非晶阻擋層。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述柵氧化層的材料為氧化硅或者氧化鍺時(shí)，所述非晶阻擋層的材料為非晶態(tài)的氮氧化硅或氮氧化鍺。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述非晶阻擋層的厚度為