[發(fā)明專利]低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法

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• 申請日: 2018-01-08
• 公開（公告）號: CN107935594A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱田中;崔春偉
• 申請（專利權(quán)）人: 張家港保稅區(qū)燦勤科技有限公司
• 主分類號: C04B35/495
• 分類號: C04B35/495;C04B35/622
• 代理公司: 蘇州市港澄專利代理事務(wù)所(普通合伙)32304
• 代理人: 包華娟

1.一種低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟，

S1按照如下摩爾比備料:0.15～0.25碳酸鋇；0.05～0.15三氧化二鋁；0.48～0.60五氧化二鉭；0.15～0.22氧化鋅；0.01～0.03碳酸鍶；0.03～0.05二氧化硅；

S2將所述碳酸鋇、三氧化二鋁、五氧化二鉭、氧化鋅混合形成第一微波材料，在所述第一微波材料中加入去離子水與二氧化鋯球進行球磨，球磨結(jié)束后烘干，然后經(jīng)過鋼絲網(wǎng)篩得到第一粉體；

S3將所述第一粉體煅燒；

S4在煅燒后的第一粉體中加入所述碳酸鍶、二氧化硅形成第二微波材料，在所述第二微波材料中加入去離子水與二氧化鋯球進行球磨，球磨結(jié)束后烘干，然后經(jīng)過鋼絲網(wǎng)篩得到第二粉體；

S5將所述第二粉體煅燒；

S6將煅燒后的第二粉體放入聚酯胺桶，加入去離子水與二氧化鋯球，加入聚乙烯醇水溶液作為粘結(jié)劑，加入分散劑和脫模劑球磨24h后，進行造粒；

S7把造粒粉體壓制成半徑13.85mm、厚度6.2mm的小圓片；

S8把壓制好的小圓片在1600～1650℃的溫度下燒結(jié)20h得到產(chǎn)品。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述碳酸鋇、三氧化二鋁、五氧化二鉭、碳酸鍶、二氧化硅的純度均為99.99％以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述第一微波材料、去離子水、二氧化鋯球的質(zhì)量比為1∶1.2∶2.5。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，烘干溫度為150±5℃，所述鋼絲網(wǎng)篩為200目。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，煅燒溫度為1350～1400℃，煅燒時間為5h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述第二微波材料、去離子水、二氧化鋯球的質(zhì)量比為1∶1.2∶2.5。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，烘干溫度為150±5℃，所述鋼絲網(wǎng)篩為200目。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟S5中，煅燒溫度為1400～1450℃，煅燒時間為5h。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟S6中，煅燒后的第二粉體、去離子水、二氧化鋯球的質(zhì)量比為1∶1.0∶2.5。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低介電常數(shù)超高品質(zhì)因數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟S9中，所述小圓片的成型密度為3.90±0.10g/cm³。