[發明專利]一種近紅外量子點發光二極管的制備方法

在審

• 申請號: 201810014660.3
• 申請日: 2018-01-08
• 公開（公告）號: CN108269939A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 田建軍;沈婷
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 北京市廣友專利事務所有限責任公司 11237
• 代理人: 張仲波

1.一種近紅外量子點發光二極管的制備方法，其特征在于該發光二極管是由透明導電氧化物陽極TOC(1)、空穴傳輸層HTL(2)、CdSeTe量子點發光層EL(3)、電子傳輸層ETL(4)和金屬陰極CL(5)組成，并采用噴涂技術制備獲得，具體制備步驟如下：

(a)將0.03～1.0摩爾濃度的空穴傳輸前驅溶液噴涂在透明導電氧化物陽極TOC(1)上，基底加熱使透明導電氧化物陽極TOC(1)的溫度控制在40～100℃，形成厚度為10～50nm的空穴傳輸層HTL(2)；

(b)將0.03～0.2摩爾濃度CdSeTe量子點溶液噴涂在空穴傳輸層HTL(2)上，控制空穴傳輸層HTL溫度為40～100℃，形成厚度為5～30nm的CdSeTe量子點發光層EL(3)；

(c)將0.05～0.3摩爾濃度的電子傳輸材料前驅溶液噴涂在CdSeTe量子點發光層EL(3)上，控制的EL溫度為40～100℃，獲得厚度為10～200nm的電子傳輸層ETL(4)；

(d)將0.5～1.5摩爾濃度的金屬漿料噴涂在電子傳輸層ETL(4)上，控制ETL的溫度為40～100℃，獲得厚度為20～100nm的金屬陰極CL(5)。

2.根據權利要求1所述的一種近紅外量子點發光二極管的制備方法，其特征在于CdSeTe量子點成分為Cd(Se_xTe_y)，其中x:y為8:2～2:8；而且采用羧基配體、硫醇配體和鹵化物配體中的一種或多種對CdSeTe量子點進行界面修飾。

3.根據權利要求1所述的一種近紅外量子點發光二極管的制備方法，其特征在于透明導電氧化物陽極TOC(1)為摻銦氧化錫(ITO)或者摻氟氧化錫(FTO)。

4.根據權利要求1所述的一種近紅外量子點發光二極管的制備方法，其特征在于空穴傳輸層HTL(2)為Poly-TPD、TFB、PVK、PETDOT:PSS，NiO，MgNiO，CBP，Spiro-OMeTAD，TCTA，MoO₂或WO₃中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的一種近紅外量子點發光二極管的制備方法，其特征在于電子傳輸層ETL(4)為TiO₂，ZnO，SnO₂，AlZnO，MgZnO，Zn₂SnO₄，Nb₂O₅，In₂O₃，SrTiO₄，TPBi，Alq3，TZA，PBD，PCBM或BCP中的一種或多種。

6.根據權利要求1所述的一種近紅外量子點發光二極管的制備方法，其特征在于金屬陰極CL(5)是由金屬銀、金或鋁漿料中的一種噴涂制備得到。