[發明專利]一種基于鈣鐵礦薄膜的發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 201810014483.9
• 申請日: 2018-01-08
• 公開（公告）號: CN108232038A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 于軍勝;王子君;趙聃;候思輝
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 徐金瓊;劉東

1.一種基于鈣鐵礦薄膜的發光二極管,其特征在于：所述發光二極管從下至上依次為襯底(1)、陽極層(2)、空穴傳輸層(3)、發光層(4)、電子傳輸層(5)和陰極層(6)。

2.根據權利要求1所述一種鈣鈦礦發光二極管,其特征在于：所述發光層(4)采用有機和無機雜化ABX3型立方晶系結構鈣鈦礦發光材料制成。

3.根據權利要求1所述一種基于鈣鐵礦薄膜的發光二極管,其特征在于：所述陽極層(2)的厚度為10～200nm，空穴傳輸層(3)厚度為20～80nm，發光層(4)厚度為20～80nm，電子傳輸層(5)厚度為20～80nm，陰極層(6)厚度為100～200nm。

4.一種基于鈣鐵礦薄膜的發光二極管制備方法,其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：對襯底(1)清洗后進行干燥處理；

步驟2：將干燥后的襯底用UV進行預處理；

步驟3：將預處理后的襯底傳入真空室進行陽極層(2)的制備；

步驟4：將制備了陽極層(2)的襯底(1)傳入真空蒸發室，并按照二極管器件結構依次對空穴傳輸層(3)、發光層(4)、電子傳輸層(5)和陰極層(6)進行蒸鍍處理；

步驟5：將蒸鍍處理后的二極管器件進行封裝。

5.根據權利要求4所述一種基于鈣鐵礦薄膜的發光二極管制備方法,其特征在于：所述步驟1依次采用乙醇溶液、丙酮溶液和去離子水對襯底(1)進行超聲清洗。

6.根據權利要求4所述一種基于鈣鐵礦薄膜的發光二極管制備方法,其特征在于：所述步驟4在蒸鍍發光層(4)的過程中，使用制冷背板對基板進行降溫處理。

7.根據權利要求4所述一種基于鈣鐵礦薄膜的發光二極管制備方法,其特征在于：所述制冷背板的溫度控制在-10℃～5℃。

8.根據權利要求4所述一種基于鈣鐵礦薄膜的發光二極管制備方法,其特征在于：所述步驟5中二極管器件的封裝環境為惰性氣體氛圍的手套箱中。

9.根據權利要求4所述一種基于鈣鐵礦薄膜的發光二極管制備方法,其特征在于：所述步驟4發光層(4)蒸鍍使用的前驅材料為CH₃NH₃Br₃和PbBr₂。