[發明專利]噴頭和氣體供應系統在審
| 申請號： | 201810014179.4 | 申請日： | 2018-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN108231632A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 李國強;林宗賢;吳孝哲 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 噴頭 氣體隔離層 噴淋區域 氣體供應系統 氣體分散 單獨控制 氣體管路 均勻性 堆疊 空腔 噴出 連通 隔離 | ||
1.一種噴頭，其特征在于，包括：
兩個以上相互隔離的噴淋區域；
每個噴淋區域包括相互堆疊且連通的氣體隔離層和氣體分散層；
所述氣體隔離層包括空腔，不同噴淋區域的氣體隔離層分別連接至不同的氣體管路；
所述氣體分散層包括多個分散的氣孔，用于將對應的氣體隔離層內通入的氣體分散噴出。
2.根據權利要求1所述的噴頭，其特征在于，所有噴淋區域沿所述噴頭中心對稱設置。
3.根據權利要求1所述的噴頭，其特征在于，所述噴頭包括沿噴頭中心向噴頭邊緣的連線垂直分割的兩個以上的噴淋區域。
4.根據權利要求1所述的噴頭，其特征在于，所述噴頭包括位于所述噴頭中心位置的中心噴淋區域，以及圍繞所述中心噴淋區域設置的一個以上環形噴淋區域。
5.根據權利要求1所述的噴頭，其特征在于，所述噴頭包括位于所述噴頭中心位置的中心噴淋區域，以及沿噴頭中心與噴頭邊緣的連線將位于所述中心噴淋區域外圍的一個以上同心環形區域垂直分割而成的多個外圍噴淋區域。
6.根據權利要求1所述的噴頭，其特征在于，不同噴淋區域的氣體分散層的氣孔密度相同。
7.根據權利要求1所述的噴頭，其特征在于，不同噴淋區域之間通過隔板隔離。
8.一種氣體供應系統，其特征在于，包括：
如權利要求1至7任一項所述的噴頭；
多個氣體供應管路，分別連接所述噴頭的各個噴淋區域。
9.根據權利要求8所述的氣體供應系統，其特征在于，所述氣體供應管路包括氣流控制裝置以及氣體管道。
10.根據權利要求9所述的氣體供應系統，其特征在于，氣流控制裝置包括流量控制器、比例控制器以及壓力控制器，所述流量控制器、比例控制器以及壓力控制器之間通過氣體管道連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
