[發明專利]高亮度LED及其制備工藝

有效

• 申請號: 201810012610.1
• 申請日: 2018-01-06
• 公開（公告）號: CN108281515B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 李丹丹
• 申請（專利權）人: 洲磊新能源（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高亮度LED制備工藝，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上沉積緩沖層；

在所述緩沖層上沉積電子提供層；

在所述電子提供層上沉積發光層；

在所述發光層上沉積空穴提供層；

所述發光層包括交替沉積在所述電子提供層上的多個發光阱層和多個發光壘層，所述發光阱層和所述發光壘層交替層疊設置，發光阱層為銦鎵氮層，發光壘層為氮化鎵層，發光阱層數量等于發光壘層數量，第一個發光阱層沉積在電子提供層上，空穴提供層沉積在最后一個發光壘層上；發光層中靠近空穴提供層一側位于發光阱層和發光壘層之間至少其中之一設置第一薄阱層和第一薄壘層，所述第一薄阱層產生的勢阱深度高于發光阱層勢阱深度且在第一薄阱層中銦含量保持不變，所述第一薄壘層產生的勢壘深度低于發光壘層勢壘深度，且在第一薄壘層中銦含量以漸變的方式減少，第一薄阱層與第一薄壘層接觸面銦含量相等。

2.如權利要求1所述的高亮度LED制備工藝，其特征在于，所述第一薄壘層與所述發光壘層之間插入第二薄壘層，所述第二薄壘層勢壘 深度低于所述發光壘層勢壘 深度且高于所述第一薄壘層勢壘 深度。

3.如權利要求1或2所述的高亮度LED制備工藝，其特征在于，所述發光層中靠近空穴提供層一側的發光阱層阱寬大于靠近電子提供層一側的發光阱層阱寬。

4.如權利要求3所述的高亮度LED制備工藝，其特征在于，所述發光層與空穴提供層之間設置阻隔層，所述阻隔層為鋁鎵氮層。

5.如權利要求4所述的高亮度LED制備工藝，其特征在于，所述阻隔層包括多層依次沉積的鋁鎵氮層，各層鋁鎵氮層從發光層至空穴提供層鋁含量依次減少。

6.如權利要求5所述的高亮度LED制備工藝，其特征在于，所述發光層中靠近空穴提供層最后兩個或三個發光阱層與發光壘層之間均依次設置第一薄阱層、第一薄壘層。

7.如權利要求5所述的高亮度LED制備工藝，其特征在于，所述發光層中靠近空穴提供層最后兩個或三個發光阱層與發光壘層之間均依次設置第一薄阱層、第一薄壘層、第二薄壘層。

8.如權利要求5所述的高亮度LED制備工藝，其特征在于，所述第一薄阱層產生的勢阱深度高于發光阱層勢阱深度通過銦源流量和鎵源流量比控制實現；通過銦源流量和鎵源流量保持一固定比例使第一薄阱層中銦含量保持不變；沉積完第一薄阱層并開始沉積第一薄壘層時，使第一薄壘層中銦源流量和鎵源流量比低于第一薄阱層中銦源流量和鎵源流量比，在從開始沉積第一薄壘層至沉積結束，整個過程中銦源流量和鎵源流量之比逐漸減小，使第一薄壘層產生的勢壘深度低于發光壘層勢壘深度。

9.如權利要求5所述的高亮度LED制備工藝，其特征在于，通過設定第二薄壘層中銦源流量和鎵源流量比低于第一薄壘層中銦源流量和鎵源流量比，在從開始沉積第二薄壘層至沉積結束并開始沉積發光壘層，整個過程中銦源流量和鎵源流量之比逐漸減小使所述第二薄壘層勢壘 深度低于發光壘層勢壘 深度且高于第一薄壘層勢壘 深度。

10.一種高亮度LED，其特征在于，包括：

襯底；

在所述襯底上沉積的緩沖層；

在所述緩沖層上沉積的電子提供層；

在所述電子提供層上沉積的發光層；

在所述發光層上沉積的空穴提供層；

所述發光層包括交替沉積在所述電子提供層上的多個發光阱層和多個發光壘層，所述發光阱層和所述發光壘層交替層疊設置，發光阱層為銦鎵氮層，發光壘層為氮化鎵層，發光阱層數量等于發光壘層數量，第一個發光阱層沉積在電子提供層上，空穴提供層沉積在最后一個發光壘層上；發光層中靠近空穴提供層一側位于發光阱層和發光壘層之間至少其中之一設置第一薄阱層和第一薄壘層，所述第一薄阱層產生的勢阱深度高于發光阱層勢阱深度且在第一薄阱層中銦含量保持不變，所述第一薄壘層產生的勢壘深度低于發光壘層勢壘深度，且在第一薄壘層中銦含量以漸增的方式增加，第一薄阱層與第一薄壘層接觸面銦含量相等。