[發明專利]一種摻氧的Zn10Sb90納米相變薄膜材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201810012205.X
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN108365091A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 胡益豐;張銳;郭璇;尤海鵬;朱小芹;鄒華
• 申請（專利權）人: 江蘇理工學院
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 張宇

1.一種摻氧的Zn10Sb90納米相變薄膜材料，其特征在于，其化學組成通式為Zn10Sb90O_x，其中x代表不同的摻氧量標記，x＝0.5、1、1.2、1.5。

2.如權利要求1所述的摻氧的Zn10Sb90納米相變薄膜材料，其特征在于，材料的厚度為45-65nm。

3.一種摻氧的Zn10Sb90納米相變薄膜材料的制備方法，其特征在于，

襯底采用SiO₂/Si(100)基片，濺射靶材為Zn10Sb90，通過在射頻濺射沉積Zn10Sb90薄膜的過程中同時通入氬氣和氧氣，并在納米量級制備而成；其中氬氣和氧氣的總流量為30sccm。

4.如權利要求3所述的摻氧的Zn10Sb90納米相變薄膜材料的制備方法，其特征在于，Zn10Sb90靶材的純度原子百分比在99.999％以上，本底真空度不大于1×10^-4Pa。

5.如權利要求3所述的摻氧的Zn10Sb90納米相變薄膜材料的制備方法，其特征在于，Zn10Sb90靶材采用射頻電源，濺射功率為25-35W。

6.如權利要求3所述的摻氧的Zn10Sb90納米相變薄膜材料的制備方法，其特征在于，

具體包括以下步驟：

1)清洗SiO₂/Si(100)基片；

2)安裝好濺射靶材；設定濺射功率，設定濺射Ar氣和O₂氣的氣體流量及濺射氣壓；

3)將空基托旋轉到Zn10Sb90靶位，打開Zn10Sb90靶上的射頻電源，設定的濺射時間150～250s，開始對Zn10Sb90靶材表面進行濺射，清潔Zn10Sb90靶位表面；

4)關閉Zn10Sb90靶位上所施加的射頻電源，將待濺射的基片旋轉到Zn10Sb90靶位，打開Zn10Sb90靶位上的射頻電源，依照設定的濺射時間，開始濺射Zn10Sb90Ox薄膜；濺射完畢后獲得所述的摻氧Zn10Sb90納米相變薄膜材料；

5)重復步驟2)-4)，改變Ar氣和O₂氣的流量比例，在SiO₂/Si(100)基片上分別制備出Zn10Sb90O_x(x＝0.5、1、1.2、1.5)納米相變薄膜材料。