[發明專利]納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析方法及裝置

有效

• 申請號: 201810011504.1
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN108318397B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 肖立志;王琳;廖廣志
• 申請（專利權）人: 中國石油大學（北京）
• 主分類號: G01N15/08
• 分類號: G01N15/08
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 陶敏;黃健

1.一種納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析方法，其特征在于，包括如下步驟：

獲取納米自組裝中間體的核磁共振橫向弛豫時間T₂譜；

獲取納米自組裝材料的氮吸附孔徑分布和壓汞孔徑分布，其中所述納米自組裝材料是由所述納米自組裝中間體焙燒而成的；

將所述氮吸附孔徑分布和壓汞孔徑分布分別與預設核磁共振孔徑分布進行雙C值誤差分析，得到轉換系數C；

根據所述轉換系數C，得到納米自組裝中間體的核磁共振孔徑分布，其中，通過下述公式1得到轉換系數C，

公式1：

其中：

δ為誤差，V_N2為氮吸附孔徑，V_Hg為壓汞孔徑，V_T2為預設核磁共振孔徑，ω_(xi)為權重，n為誤差個數；

在x≤15nm時，a為1，b為0；在x15nm時，a為0，b為1；

轉換系數C為δ最小處對應的C值。

2.根據權利要求1所述的納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析方法，其特征在于，通過下述公式2得到納米自組裝中間體的核磁共振孔徑分布，

公式2：L＝CT₂

其中：L為核磁共振孔徑分布，C為轉換系數，T₂為核磁共振橫向弛豫時間T₂譜。

3.根據權利要求1或2所述的納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析方法，其特征在于，還包括：

獲取所述納米自組裝材料的總孔隙度；

根據所述總孔隙度對所述核磁共振橫向弛豫時間T₂譜進行刻度，獲得納米自組裝中間體的核磁共振區間孔隙度。

4.根據權利要求3所述的納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析方法，其特征在于，所述總孔隙度通過壓汞法、體積法或核磁共振法測量得到。

5.根據權利要求1或2所述的納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析方法，其特征在于，還包括：根據所述轉換系數C，得到納米自組裝中間體的表面弛豫率。

6.根據權利要求5所述的納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析方法，其特征在于，通過下述公式3得到納米自組裝中間體的表面弛豫率，

公式3：ρ₂＝C/4

其中：ρ₂為表面弛豫率，C為轉換系數。

7.根據權利要求1或2所述的納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析方法，其特征在于，采用CPMG脈沖序列對所述納米自組裝中間體進行核磁共振橫向弛豫時間T₂測量，得到所述納米自組裝中間體的核磁共振橫向弛豫時間T₂譜。

8.一種納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析裝置，其特征在于，包括核磁共振儀、氮吸附實驗裝置、壓汞實驗裝置和數據處理器，

所述核磁共振儀能夠獲取納米自組裝中間體的核磁共振橫向弛豫時間T₂譜，

所述氮吸附實驗裝置能夠獲取納米自組裝材料的氮吸附孔徑分布，

所述壓汞實驗裝置能夠獲取納米自組裝材料的壓汞孔徑分布，

所述數據處理器分別與所述核磁共振儀、氮吸附實驗裝置和壓汞實驗裝置電連接，所述數據處理器能夠將所述氮吸附孔徑分布和壓汞孔徑分布分別與預設核磁共振孔徑分布進行雙C值誤差分析，得到轉換系數C，其中，通過下述公式1得到轉換系數C，

公式1：

其中：

δ為誤差，V_N2為氮吸附孔徑，V_Hg為壓汞孔徑，V_T2為預設核磁共振孔徑，ω_(xi)為權重，n為誤差個數；

在x≤15nm時，a為1，b為0；在x15nm時，a為0，b為1；

轉換系數C為δ最小處對應的C值。

9.根據權利要求8所述的納米自組裝中間體孔隙結構核磁共振分析裝置，其特征在于，所述壓汞實驗裝置還能夠獲取所述納米自組裝材料的總孔隙度，所述數據處理器能夠根據所述總孔隙度對所述核磁共振橫向弛豫時間T₂譜進行刻度以獲得所述納米自組裝中間體的核磁共振區間孔隙度。