[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

在審

• 申請號: 201810010650.2
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN108281434A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 李光敏;權錫鎮;樸惠允;李范碩;任東模
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種圖像傳感器，包括：

襯底，其具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；

第一浮置擴散區，其位于所述襯底中，所述第一浮置擴散區與所述第一表面相鄰；

穿通電極，其位于所述襯底中，所述穿通電極電連接至所述第一浮置擴散區；

順序層疊在所述第二表面上的絕緣結構、底部電極、光電轉換層和頂部電極；

濾色器，其掩埋在所述絕緣結構中；以及

頂部接觸插塞，其穿透所述絕緣結構，所述頂部接觸插塞將所述底部電極連接到所述穿通電極，

其中，所述穿通電極包括摻雜多晶硅。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述頂部接觸插塞的寬度小于所述穿通電極的寬度。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述頂部接觸插塞的寬度從所述頂部接觸插塞的頂表面到所述第二表面逐漸減小。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述絕緣結構包括：

第一絕緣圖案，其具有凹區域，所述凹區域包括所述濾色器；以及

第二絕緣圖案，其位于所述濾色器上。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述穿通電極的一端與所述第二表面實質上共面。

6.根據權利要求5所述的圖像傳感器，其中，所述穿通電極的所述一端與另一端之間的距離小于所述第二表面與所述第一表面之間的距離。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，還包括：

層間絕緣層，其位于所述第一表面上；以及

第一底部接觸插塞，其穿透所述層間絕緣層，所述第一底部接觸插塞連接到所述穿通電極。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器，還包括：

填充絕緣圖案，其位于所述穿通電極與所述層間絕緣層之間，其中，所述第一底部接觸插塞穿透所述填充絕緣圖案。

9.根據權利要求7所述的圖像傳感器，還包括：

第二底部接觸插塞，其穿透所述層間絕緣層以連接到所述第一浮置擴散區；以及

互連線，其位于所述層間絕緣層上，所述互連線將所述第一底部接觸插塞與所述第二底部接觸插塞電連接。

10.根據權利要求9所述的圖像傳感器，其中，所述第一底部接觸插塞的垂直長度大于所述第二底部接觸插塞的垂直長度。

11.根據權利要求1所述的圖像傳感器，還包括：

阱摻雜區，其位于所述襯底中，所述阱摻雜區與所述第一表面相鄰，所述阱摻雜區具有第一導電類型；

光電轉換區，其位于所述襯底中且位于所述第二表面與所述阱摻雜區之間，所述光電轉換區具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型；以及

第二浮置擴散區，其位于所述阱摻雜區中，所述第二浮置擴散區具有所述第二導電類型。

12.一種圖像傳感器，包括：

襯底，其具有彼此相對的第一表面和第二表面，所述襯底包括沿第一方向設置的像素區域；

位于所述襯底中的第一深器件隔離圖案和第二深器件隔離圖案，所述第一深器件隔離圖案包括在第一方向上延伸的第一延伸部分，且所述第二深器件隔離圖案包括在第一方向上延伸的第二延伸部分，所述第一延伸部分和所述第二延伸部分彼此間隔開，所述像素區域介于所述第一延伸部分與所述第二延伸部分之間；

穿通電極，其位于所述襯底中，當在平面圖中觀察時，所述穿通電極在各像素區域之間；

順序設置在所述第二表面上的絕緣結構、光電轉換層和頂部電極；

底部電極，其位于所述絕緣結構與所述光電轉換層之間；

頂部接觸插塞，其位于所述絕緣結構中以分別將所述底部電極連接到所述穿通電極；以及

濾色器，其掩埋在所述絕緣結構中，

其中，所述穿通電極包括摻雜劑。