[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810010454.5
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN110010772A
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬立輝;馬星辰;劉嵩
• 申請（專利權(quán)）人: 北京鼎材科技有限公司;固安鼎材科技有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種有機電致發(fā)光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電荷控制層、第二發(fā)光層、第二電荷控制層、第三發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層，其特征在于，所述的第一電荷控制層中材料的LUMO能級高于第三發(fā)光層中的主體材料的LUMO能級，所述的第二電荷控制層中材料的HOMO能級低于第一發(fā)光層中的主體材料的HOMO能級。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的第一電荷控制層中材料的LUMO能級高于第三發(fā)光層中主體材料的LUMO能級，其能級差大于或等于0.2ev，所述的第二電荷控制層中材料的HOMO能級低于第一發(fā)光層中主體材料的HOMO能級，其能級差大于或等于0.2ev。

3.根據(jù)權(quán)利要求1～2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的第一電荷控制層的厚度為1-5nm，所述的第二電荷控制層的厚度為1-5nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的第一電荷控制層的厚度為1.5-3nm，所述的第二電荷控制層的厚度為1.5-3nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于：

所述的第一電荷控制層中的材料選自第一類通式化合物中的至少一種化合物，第一類通式化合物選自下述通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)與通式(Ⅲ)所定義的化合物：

通式(Ⅰ)中：

環(huán)A為虛線是拼接位置；該Ar選自氫、取代或未取代的C₆～C₃₀的芳基氨基、取代或未取代的C₆～C₃₀的雜芳基氨基、取代或未取代的C₆～C₃₀的芳基、取代或未取代的C₂～C₃₀的雜芳基；

R¹至R¹²各自獨立選自氫、鹵素、取代或未取代的C₁～C₃₀烷基、取代或未取代的C₂～C₃₀烯基、取代或未取代的C₂～C₃₀炔基、取代或未取代的C₃～C₃₀環(huán)烷基、取代或未取代的C₂～C₃₀雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₆～C₃₀芳基、取代或未取代的C₂～C₃₀雜芳基；同時，R¹～R⁴和R⁵～R⁸這些基團之間可以互相連接形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；

通式(Ⅱ)中：

Ar¹、Ar²相同或不同，分別獨立地為C₁-C₁₀烷基、C₆～C₃₀的芳基氨基或雜芳基氨基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₂-C₃₀雜芳基；

R¹至R¹²相同或不同，各自獨立地優(yōu)選氫、鹵素、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基、取代或未取代的C₃-C₃₀環(huán)烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₂-C₃₀雜芳基、C₆～C₃₀的芳基氨基或雜芳基氨基；且，R¹～R⁴的相鄰的基團可以互相連接形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；

通式(III)中：

Ar³、Ar⁴相同或不同，分別獨立地為C₁-C₁₀烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₂-C₃₀雜芳基、C₆～C₃₀的芳基氨基或雜芳基氨基；

R¹³至R²⁴相同或不同，各自獨立地優(yōu)選氫、鹵素、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基、取代或未取代的C₃-C₃₀環(huán)烷基、取代或未取代的C₂-C₃₀雜環(huán)烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₂-C₃₀雜芳基、C₆～C₃₀的芳基氨基或雜芳基氨基；同時，R¹³～R¹⁶的相鄰的基團可以互相連接形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)，R¹⁷～R²⁰中的相鄰的基團可以互相連接形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；

所述的第二電荷控制層中的材料選自第二類通式化合物中的至少一種化合物，由下述通式(Ⅳ)表示：

通式(Ⅳ)中：

L選自化學鍵、C₆～C₁₂的亞芳基或亞稠環(huán)芳烴基團、C₃～C₁₂的亞雜芳基或亞稠雜環(huán)芳烴基團；

Ar¹、Ar²和Ar³分別獨立選自C₆～C₃₀的取代或非取代的芳基或稠環(huán)芳烴基團、C₃～C₃₀的取代或非取代的雜芳基或稠雜環(huán)芳烴基團；當Ar¹、Ar²和Ar³分別獨立選自取代的芳基、稠環(huán)芳烴基團、雜芳基或稠雜環(huán)芳烴基團時，所述其上的取代基團獨立選自鹵素、氰基、硝基，或選自C₁～C₁₀的烷基或環(huán)烷基、烯基、C₁～C₆的烷氧基或硫代烷氧基基團，或者選自Si(R⁵)₃，該R⁵選自C₁～C₆的烷基；

R¹、R²、R³、R⁴分別獨立選自氫、C₁～C₁₀的亞烷基、鹵素、氰基、硝基、C₆～C₃₀的取代或未取代的芳基或稠環(huán)芳烴基團、C₃～C₃₀的取代或未取代的雜芳基或稠雜環(huán)芳烴基團。當R¹、R²、R³、R⁴分別獨立選自取代的芳基、稠環(huán)芳烴基團、雜芳基或稠雜環(huán)芳烴基團時，所述其上的取代基團獨立選自鹵素、氰基、硝基，或選自C₁～C₁₀的烷基或環(huán)烷基、烯基、C₁～C₆的烷氧基或硫代烷氧基基團，或者選自Si(R⁵)₃，該R⁵選自C₁～C₆的烷基。